浸沒式光刻兩級氣液分離回收系統的研制.pdf

1、隨著半導體產業(yè)與集成電路的不斷飛速發(fā)展，對于單塊芯片的集成度有了越來越高的要求。這意味著在硅片晶圓表面上刻蝕的線條也要求越來越細，而傳統的干式光刻技術已經越來越不適用。在下一代光刻技術中脫穎而出的是浸沒式光刻技術，即在傳統的干式光刻系統最后一片投影物鏡的下表面與硅片之間填充高折射率的液體。經過對比，局部浸沒法最優(yōu)，但是需要保持浸沒液體的持續(xù)更新，同時保證液體不能泄漏。這就需要在持續(xù)的注液，以及注氣維持密封的條件下，設計合適的氣液回收系統

2、來與其他功能單元之間協調運行，起到氣體和液體回收的作用，并保證浸沒單元內部核心流場不受此影響。因此，設計一套適用于浸沒式光刻機的氣液回收系統就顯得尤為重要。
　　本課題針對浸沒式光刻系統對于氣液回收設計所提出的功能需求和性能需求展開，設計了一套完善的浸沒式光刻兩級氣液回收系統，具體完成的工作包括以下的內容。
　　分析不同氣液回收系統的設計方案，對比各自性能的優(yōu)缺點，將該系統的方案確定為氣液分離后再連續(xù)回收的設計。之后和02專

3、項的氣液回收系統進行對比，完善其存在的缺點與不足，最終確定該系統為兩級氣液分離回收的系統。
　　在系統工藝流程方案設計的基礎之上確定了系統的工作流程，然后對元器件進行選型，對所有的用電設備進行電氣結構設計，最后確定系統為PLC+工控機的控制方式，根據工作流程編寫了PLC控制程序。
　　根據選用元器件的外形尺寸，以及機柜設計的尺寸要求，將所有元器件及機柜進行結構設計，同時考慮到設計安裝的需求，設計了一些安裝聯接件進行虛擬組裝，