分子印跡陣列傳感器的構(gòu)建及應(yīng)用.pdf

1、材料學(xué)、生物化學(xué)、高分子化學(xué)等學(xué)科的融合發(fā)展催生了一種新的技術(shù)-分子印跡技術(shù)。分子印跡聚合物是利用分子印跡技術(shù)制備的對(duì)特定目標(biāo)化合物具有特異性識(shí)別能力的聚合物材料。由于分子印跡聚合物具有特異性識(shí)別能力、高穩(wěn)定性、易于制備、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)，使得其特別適用于傳感器的識(shí)別單元構(gòu)建仿生傳感器。雖然原位電聚合已經(jīng)非常方便地實(shí)現(xiàn)了平面分子印跡膜的制備，但是由于印跡位點(diǎn)一般深度包埋于分子印跡膜內(nèi)部，導(dǎo)致目標(biāo)分子化合物傳質(zhì)受阻，影響分子印跡傳感器的實(shí)際

2、性能?；诖?，本文嘗試制備三維納米結(jié)構(gòu)的分子印跡陣列并構(gòu)建響應(yīng)的電化學(xué)傳感器。全文分為以下幾個(gè)部分。
　　第一章，簡(jiǎn)單介紹了分子印跡技術(shù)，包括分子印跡技術(shù)及分子印跡聚合物的發(fā)展歷史、基本原理、制備方法及其應(yīng)用，在此基礎(chǔ)上確定了本文的主要研究?jī)?nèi)容。
　　第二章，采用無(wú)種子電沉積法在 ITO/PET導(dǎo)電膜上制備了直立的氧化鋅納米棒陣列，并將其作為三維支架用于原位電聚合制備三維聚吡咯陣列。該聚吡咯陣列生長(zhǎng)于氧化鋅納米棒陣列的表面，

3、各個(gè)聚吡咯陣列之間相互獨(dú)立，同時(shí)聚吡咯納米棒陣列的表面有更多更微小的納米顆粒組成。
　　第三章，在第二章的基礎(chǔ)上，以腎上腺素為模板分子制備了對(duì)腎上腺素具有特異性識(shí)別能力的三維分子印跡聚吡咯納米棒陣列。由于印跡位點(diǎn)處于納米棒陣列的表面，加之納米棒陣列所具有的高比表面積的特點(diǎn)，該分子印跡聚吡咯納米棒陣列對(duì)模板分子腎上腺素具有較好的可接近性以及識(shí)別能力。最終以該分子印跡聚合物陣列為識(shí)別材料，結(jié)合電化學(xué)工作站成功構(gòu)建了基于分子印跡聚合物陣