近閾值8管存儲器設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著工藝尺寸的減小，芯片集成度的增加，靜態(tài)隨機存儲器在SoC中所占的面積越來越大，其功耗也成為一個主要的問題。同時，工藝尺寸進入到90nm以下，工藝波動對電路性能的影響也越來越大。
　　本設(shè)計在SMIC65nm工藝下，通過將供電電壓降低到近閾值電壓的方式，來降低SRAM的功耗，采用的近閾值電壓為0.5V。由于標準6管SRAM在近閾值電壓下的讀穩(wěn)定性非常差，受工藝波動的影響也很大。因此本文提出一種在近閾值電壓下具有良好性能和抗工藝波

2、動能力的新型8管SRAM單元。與近閾值電壓下的6管單元相比，其靜態(tài)功耗基本相同，讀噪聲容限增加了一倍。因此使該新型8管單元在實現(xiàn)低功耗的基礎(chǔ)上保證了讀寫的穩(wěn)定性。另外針對工藝波動對讀噪聲容限的影響進行分析，與6T-SRAM相比，新型8T-SRAM受工藝波動的影響更小。
　　本設(shè)計將該新型8管SRAM設(shè)計成32×8位存儲器，主要外圍電路有，行譯碼器、靈敏放大器、行列選擇器等，使用NanoSim仿真得到，在近閾值電壓下整個存儲電路在5

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