2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩79頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、釩氧化物由于具有很多優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,作為一種重要的功能材料,引起研究人員的廣泛關(guān)注。V2O5在V-O體系中是最穩(wěn)定的相,具有層狀結(jié)構(gòu)。V2O5作為n型半導(dǎo)體,具有較寬的光學(xué)帶隙,因此表現(xiàn)出優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。摻雜金屬后的V2O5薄膜在晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性和光學(xué)特性等方面有顯著變化,并得到更廣泛的應(yīng)用。
  利用直流反應(yīng)磁控濺射方法,分別在Si(100)和玻璃基底上,通過控制沉積參數(shù)制備了層狀結(jié)構(gòu)的V2O5薄膜。X射線衍

2、射(XRD)圖譜表明,在不對基底進(jìn)行加熱和基底溫度過高時,薄膜呈非晶態(tài);隨著工作壓強(qiáng)和氧氣流量百分比的增加,薄膜的擇優(yōu)取向由(710)轉(zhuǎn)變?yōu)?001)晶向。從掃描電子顯微鏡(SEM)圖像中可以看出,晶粒呈棒狀生長,平均晶粒長度約為0.5-0.8μm。通過拉曼光譜進(jìn)一步測試薄膜的結(jié)構(gòu),位于145 cm-1處的拉曼特征峰,表明得到了層狀結(jié)構(gòu)的V2O5薄膜。X射線光電子能譜(XPS)表明,薄膜由V2O5單一晶相組成。通過四探針法測得V2O5薄

3、膜的方塊電阻大約為13.4-108 K,適合應(yīng)用于非制冷微測輻射熱計中。用紫外-可見光-近紅外分光光度計測試了薄膜的透射率,在可見光范圍內(nèi)透射率可達(dá)50%,光學(xué)帶隙約為1.7 eV。
  采用射頻、直流反應(yīng)共濺射方法在不同基底上分別制備了Ti,Zn和Co摻雜的V2O5薄膜。通過XRD分析可以看出,金屬的摻入使薄膜的衍射峰位置向小角度移動,衍射峰強(qiáng)度增加。在硅基底上沉積的薄膜產(chǎn)生新的衍射峰對應(yīng)于V2O3的(104)晶面,晶粒尺寸范圍

4、為28.6-157.6 nm。在玻璃基底上沉積的薄膜產(chǎn)生新的衍射峰對應(yīng)于VO2(111)晶面,晶粒尺寸范圍為15.7-20.5 nm。掃描電子顯微鏡測試表明,Zn和Ti的摻入使晶?;ハ嘟Y(jié)合,從而形成尺寸較大的團(tuán)簇。摻雜后薄膜的拉曼峰向低頻移動,Zn摻雜V2O5薄膜的拉曼峰強(qiáng)度高于Ti摻雜V2O5薄膜,表明薄膜的結(jié)晶性較好。通過XPS分析金屬摻雜后的薄膜,表明金屬是以TiO2,ZnO,Co3O4形式存在于薄膜中。金屬摻雜后薄膜的方塊電阻減

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論