含低聚硅氧烷紅光磷光材料的合成及性能研究.pdf

1、OLED技術(shù)由于其工藝簡(jiǎn)單、響應(yīng)迅速、成本低、能同時(shí)實(shí)現(xiàn)剛性顯示和柔性顯示等優(yōu)勢(shì)，已成為目前顯示技術(shù)的主要研究方向。經(jīng)過(guò)近幾十年的發(fā)展，OLED手機(jī)、OLED燈、OLED電視機(jī)已經(jīng)逐步面市。但是，相比于綠光材料與藍(lán)光材料，紅光材料的發(fā)展卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，目前報(bào)道的外量子效率最高的紅光磷光材料僅為20.2％。為了解決紅光材料發(fā)展的不足，減少分子堆積引起的淬滅現(xiàn)象，將紅光材料中引入分子水平上的有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化材料——低聚硅氧烷。在該結(jié)構(gòu)中，無(wú)機(jī)低聚

2、硅氧烷材料表現(xiàn)出較高的熱穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度，而有機(jī)材料則柔韌性比較好。此外，低聚硅氧烷結(jié)構(gòu)的引入，可以有效地抑制發(fā)光團(tuán)之間的聚集和相互作用，從而提高了材料的發(fā)光效率和光色純度。
　　本文的研究工作受到國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資助，主要內(nèi)容包括：以2-(1-萘基)-苯并噻唑(nbt)作為第一配體，以吡啶酸和載流子傳輸基團(tuán)功能化的吡啶酸衍生物為第二配體，合成了3種新型紅光銥配合物磷光材料(Ir(nbt)2(pic)、Ir(nbt)2(pic

3、-Ox)和Ir(nbt)2(pic-Cz))；引入具有納米尺寸結(jié)構(gòu)的倍半硅氧烷(POSS)，得到了一種新型有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化磷光材料POSS-7Cz-Ir(nbt)2(pic)(POSS-pic)。通過(guò)1H NMR和質(zhì)譜分析，確定了所合成材料的結(jié)構(gòu)；通過(guò)紫外-可見(jiàn)吸收光譜、光致發(fā)光光譜、熱重分析和電化學(xué)分析，研究了它們的光物理特性、熱穩(wěn)定性和電化學(xué)性能。結(jié)果表明，四種材料的光致發(fā)光的主發(fā)射峰均在605 nm處，并且在650 nm有一個(gè)肩峰，

4、是典型的紅光材料。四種材料的熱分解溫度均在280℃以上，具有較高的穩(wěn)定性。采用真空熱蒸鍍法，制備了材料Ir(nbt)2(pic)的電致發(fā)光器件；采用溶液旋涂法，制備了材料 Ir(nbt)2(pic-Ox)和Ir(nbt)2(pic-Cz)的電致發(fā)光器件。詳細(xì)地研究了它們的電致發(fā)光性能。其中電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)分別為：ITO/TAPC(20 nm)/CBP: Ir(nbt)2(pic)(30 nm)/TPBi(50 nm)/Liq(2 nm

5、)/Al(150 nm)(器件1)；ITO/PEDOT:PSS(30 nm)/CBP: Ir(nbt)2(pic-Ox)/ TPBi(50 nm)/Liq(2 nm)/Al(器件2)；ITO/ PEDOT:PSS(30 nm)/CBP:Ir(nbt)2(pic-Cz)/ TPBi(50 nm)/Liq(2 nm)/Al(器件3)。結(jié)果表明，三種材料的發(fā)光器件的最大亮度均在在1000 cd/m2以上，發(fā)光效率分別為3.8 cd/A，3.5