亞微米氧化鈰的合成及拋光性能研究.pdf

1、化學(xué)機(jī)械拋光（chemical mechanical polishing，CMP）是高精密光學(xué)器件和超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)中最為有效的平坦化技術(shù)之一。隨著高精尖技術(shù)的發(fā)展，對(duì)工件表面精度的要求越來(lái)越來(lái)高，對(duì)拋光材料顆粒大小和形貌也提出了更高的要求。本研究采用不同方法合成了不同粒徑大小和形貌的亞微米氧化鈰，并評(píng)價(jià)了它們拋光K9玻璃的材料去除速率（MRR）和表面質(zhì)量（Ra），探討了拋光效果與氧化鈰的粒度分布、表面電位、懸浮穩(wěn)定性的關(guān)系。<

2、br>　　利用XRD、SEM、TEM、激光粒度分析儀、Zeta電位儀等手段對(duì)以Ce(NO3)3.6H2O和PVP為原料，在不同水熱條件下合成的前驅(qū)體進(jìn)行了物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、粒度分布和顆粒表面電位的表征。研究了煅燒溫度和氣氛、分散劑等因素對(duì)氧化鈰拋光粉粒度大小及其對(duì)K9玻璃拋光性能的影響。結(jié)果表明：通過(guò)調(diào)節(jié)合成pH值和水熱合成溫度與時(shí)間，可以方便地制備出不同粒徑大小和形貌的氧化鈰。在pH=5時(shí)180℃下水熱合成24h，得到一次粒徑8nm

3、，團(tuán)聚顆粒0.3μm的具有立方螢石結(jié)構(gòu)的球形氧化鈰。隨著煅燒溫度的提高，產(chǎn)物的結(jié)晶度提高，但拋光效果隨煅燒溫度的變化曲線在1050℃時(shí)最好。
　　以堿式碳酸鈰為原料，采用鹽輔助的機(jī)械化學(xué)反應(yīng)法，制備出了亞微米級(jí)氧化鈰。煅燒后的樣品在乙醇中球磨分散后可以得到粒度分布均勻，無(wú)團(tuán)聚，顆粒形貌較好亞微米氧化鈰顆粒，一次粒徑為100nm左右。它們對(duì)K9玻璃的拋光實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：隨著煅燒溫度的提高，材料去除速率都是先增加而后再下降，最佳煅燒溫度