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1、論文根據(jù)壓控振蕩器的基本原理對(duì)振蕩器的相位噪聲做了詳細(xì)分析,從而提出了降低壓控振蕩器的相位噪聲的一些方法,并在壓控振蕩器的設(shè)計(jì)中得到了應(yīng)用。在1μm GaAs HBT工藝下,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種用于鎖相環(huán)(PLL)頻率合成器中的低相位噪聲LC壓控振蕩器。該壓控振蕩器采用共射極組態(tài)和π型反饋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),利用大濾波電容來降低相位噪聲。采用1μm GaAs HBT工藝完成前仿真、版圖設(shè)計(jì)與后仿真,芯片面積為0.7mm×0.7mm。芯片測(cè)試結(jié)果顯示,
2、LC壓控振蕩器的頻率調(diào)諧范圍23.57GHz到23.85GHz,中心頻率處的相位噪聲為-93.76dBc/Hz@1MHz,最大輸出功率為-1.49dBm,靜態(tài)功耗為104mW。
論文闡述了鎖相環(huán)的工作原理并確定了鎖相環(huán)的電路結(jié)構(gòu)。鎖相環(huán)由模擬鑒相器、環(huán)路濾波器,壓控振蕩器和動(dòng)態(tài)分頻器組成。仿真結(jié)果顯示:參考頻率源設(shè)置在9.45GHz到9.52GHz范圍內(nèi)才能鎖定,鎖定時(shí)間大致為100ns左右。環(huán)路帶寬和相位裕度分別為400MH
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