一種用于鎖相環(huán)的壓控振蕩器的設(shè)計(jì).pdf

1、隨著現(xiàn)代通訊技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備對(duì)壓控振蕩器的要求越來(lái)越高，傳統(tǒng)的壓控振蕩器功耗高、穩(wěn)定性差、頻率范圍窄并且難以集成。本論文采用CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一個(gè)高穩(wěn)定性、寬頻帶范圍的單片集成的壓控振蕩器，它能很好的應(yīng)用于鎖相環(huán)電路中，滿足通訊設(shè)備的使用需要。本振蕩器采用恒流充放電多諧振蕩的電路結(jié)構(gòu)，整個(gè)電路由帶隙基準(zhǔn)源模塊、電流源模塊、控制電壓輸入模塊和流控振蕩器模塊四個(gè)部分組成。其中帶隙基準(zhǔn)源模塊利用帶隙技術(shù)設(shè)計(jì)產(chǎn)生了一個(gè)接近零溫漂高穩(wěn)定的基

2、準(zhǔn)電壓，流控振蕩器模塊通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)的射極耦合振蕩結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)而得到，電路采用全對(duì)稱的電路形式，大大減少了各種噪聲對(duì)電路性能的影響。通過(guò)重點(diǎn)對(duì)這兩個(gè)模塊的優(yōu)化設(shè)計(jì)，我們使得輸出的振蕩頻率不再直接依賴于某一個(gè)器件的參數(shù)，而是讓器件單個(gè)參數(shù)的影響作用能相互抵消，最后的頻率只體現(xiàn)了器件的比值關(guān)系，這就從根本防止了因?yàn)槠骷?shù)的溫度系數(shù)引起輸出頻率的漂移，從而使得壓控振蕩器具有相當(dāng)好的溫度穩(wěn)定性。本芯片基于1.2umCMOS2P2MC12DDR工藝