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文檔簡介
1、因具有優(yōu)異的力電耦合性能,壓電納米帶和壓電薄膜廣泛應(yīng)用于微電子器件領(lǐng)域。它們常常以沉積在基底表面的形式存在,其厚度在幾個納米到微米量級。壓電納米帶和壓電薄膜的力學(xué)性能對器件的工作效率有著重要的影響。因此,表征壓電納米帶和壓電薄膜的力學(xué)性能就顯得尤為重要。納米壓痕技術(shù)因具有高靈便性、高精確性及對樣品尺寸要求小的特點,已經(jīng)成為表征納米材料力學(xué)性能的有效方法。但是,如果壓痕過程受到基底材料的影響,那么實驗結(jié)果并不能反映出被測材料的真實力學(xué)性能
2、。在本文中,考慮基底效應(yīng)的影響,研究壓電納米帶和壓電薄膜的彈性力學(xué)性能。首先,以權(quán)平均方程作為補充方程,結(jié)合納米壓痕和有限元法,確定了壓電納米帶的彈性常數(shù)。其次,對于壓電薄膜/絕緣彈性基體系,建立了壓痕載荷與材料性能參數(shù)的關(guān)系。最后,基于壓痕載荷與材料性能參數(shù)的關(guān)系為補充方程,結(jié)合納米壓痕和有限元法,確定了壓電薄膜的彈性常數(shù)。本文的主要研究內(nèi)容分為三個部分:
(1)以權(quán)平均方程作為補充方程,結(jié)合納米壓痕和有限元法,確定橫觀各向
3、同性壓電納米帶的彈性常數(shù)。在正向分析過程中,分別用有限元軟件的純力學(xué)模式和壓電模式模擬壓電納米帶/基底體系的壓痕實驗,得到最大加載力和加載曲線指數(shù)與膜/基體系的彈性常數(shù)之間無量綱方程的具體形式。在反向分析過程中,對沉積在硅基底上的ZnS納米帶進行納米壓痕實驗,得到實驗壓痕曲線。將由實驗壓痕曲線得到的實驗最大加載力和實驗加載曲線指數(shù)及相關(guān)實驗參數(shù)代入無量綱方程和補充方程中,確定了ZnS納米帶的彈性常數(shù)。
(2)對于壓電薄膜/絕緣
4、彈性基底體系的納米壓痕實驗,提出了一種壓痕載荷響應(yīng)理論。該理論考慮了絕緣壓頭作用下膜/基體系的位移邊界條件、電學(xué)邊界條件及界面連續(xù)性條件,并得到了壓痕載荷與壓電薄膜的彈性常數(shù)、壓電系數(shù)及介電常數(shù)的關(guān)系式。另外,對膜/基體系的壓痕響應(yīng)進行無量綱分析,確立了最大加載力和加載曲線指數(shù)與膜/基體系的彈性常數(shù)之間的無量綱方程。聯(lián)立無量綱方程和壓痕載荷響應(yīng)理論所確立的關(guān)系式組成方程組,用于求解壓電薄膜的彈性常數(shù)。
(3)基于壓電薄膜/絕緣
5、彈性基底體系的壓痕載荷響應(yīng)理論,結(jié)合納米壓痕和有限元法,確定橫觀各向同性壓電薄膜材料的彈性常數(shù)。在正向分析過程中,考慮壓電薄膜的壓電效應(yīng),通過有限元仿真模擬膜/基體系的壓痕實驗,得到最大加載力和加載曲線指數(shù)與膜/基體系的彈性常數(shù)之間無量綱方程的具體形式。在反向分析過程中,分別對生長在硅基底上的ZnO薄膜和0.95Na0.5Bi0.5TiO3-0.05K0.5Bi0.5TiO3(BNKT)薄膜進行納米壓痕實驗,得到實驗壓痕曲線。將由實驗壓
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