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文檔簡介
1、半導(dǎo)體芯片的制造產(chǎn)業(yè)中,為了提高芯片產(chǎn)量降低單個(gè)芯片的制造成本,使用的硅片尺寸不斷增大,直徑300mm的硅片在半導(dǎo)體制造中已經(jīng)普及,同時(shí),特征尺寸也達(dá)到了10幾納米。隨著IC集成度越來越高,要求硅片襯底表面有更好的平整度。半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用無圖形硅片,按照一定的設(shè)計(jì)淀積不同的膜層來模擬真實(shí)的產(chǎn)品,監(jiān)測(cè)設(shè)備及工藝條件,這種硅片被稱為控?fù)跗?。控?fù)跗勒詹煌牧鞒探?jīng)過一次或多次使用后,表面產(chǎn)生很多損傷,如細(xì)微裂紋和網(wǎng)絡(luò)位錯(cuò),這些損傷會(huì)使硅片無法
2、再次使用,只能報(bào)廢,而這對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)造成了非常巨大的開銷,研究如何循環(huán)使用控?fù)跗且环N降低成本的途徑。
化學(xué)機(jī)械研磨是在硅片的加工中一步必要的工藝,在研磨中有化學(xué)和機(jī)械兩種機(jī)制同時(shí)作用?;瘜W(xué)作用是硅表面與研磨液反應(yīng)形成一層相對(duì)容易去除的物質(zhì);機(jī)械作用是研磨液中的研磨顆粒在一定的壓力作用,與新生表面層做相對(duì)運(yùn)動(dòng)中,利用機(jī)械力的作用達(dá)到去除的目的。當(dāng)前業(yè)界已經(jīng)有企業(yè)在做控?fù)跗幕厥?,通常使用堿性的研磨液直接研磨去除表面的膜層,然后
3、用去離子水和化學(xué)品進(jìn)行磨后清洗。這種方法通常忽略了控?fù)跗さ膹?fù)雜性以及研磨液的局限性,控?fù)跗さ某煞萃ǔ2皇菃我坏?,而大部分的研磨液只和有針?duì)性的成份發(fā)生反應(yīng),這樣控?fù)跗砻娴哪げ荒芎芎玫谋谎心サ簦够厥盏目論跗砻嫘兔膊痪鶆?,缺陷也很多,良率不高?br> 本文中將探討利用濕法腐蝕的方法先將控?fù)跗哪尤コ?,再使用化學(xué)機(jī)械研磨對(duì)硅片進(jìn)行平坦化處理,使之達(dá)到再次使用的標(biāo)準(zhǔn),從而實(shí)現(xiàn)控?fù)跗难h(huán)多次使用,達(dá)到節(jié)約成本的目的。主要內(nèi)容有:
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