具有過流過溫保護(hù)功能的DMOS設(shè)計(jì).pdf

1、功率器件的自保護(hù)功能包括限流保護(hù)和過溫保護(hù)等，這些功能使得器件可以對一系列故障進(jìn)行及時(shí)檢測與處理。擁有自保護(hù)功能的功率器件不僅提高了器件自身的可靠性、延長器件的使用壽命，而且得益于功率集成工藝技術(shù)，減小了芯片的體積，節(jié)約了系統(tǒng)的成本。該課題來源于模擬集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，要求設(shè)計(jì)一款具有過溫保護(hù)、過流保護(hù)、ESD保護(hù)、過電壓保護(hù)功能的VDMOS。本文主要介紹其中的過溫保護(hù)功能以及過流保護(hù)功能的DMOS的設(shè)計(jì)、仿真和版圖設(shè)計(jì)。
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2、、建立了具有過溫保護(hù)功能以及過流保護(hù)功能的DMOS工藝制程，并在此工藝基礎(chǔ)上進(jìn)行了VDMOS、CMOS和電阻等元器件的設(shè)計(jì)，其中VDMOS器件的反向耐壓大于50V，閾值電壓為1.737V，同時(shí)在輸入電壓為5V、環(huán)境溫度為25℃的情況下，器件的導(dǎo)通電阻22mΩ。從仿真結(jié)果分析可知，所設(shè)計(jì)的VDMOS各項(xiàng)參數(shù)完全滿足設(shè)計(jì)要求。同時(shí)，還進(jìn)行了VDMOS、CMOS等器件的模型提取。
　　2、設(shè)計(jì)了過溫保護(hù)和過流保護(hù)電路模塊，引入該工藝下的