鍺和氧化鍺材料制備新方法的研究.pdf

1、1.在傳統(tǒng)的真空蒸發(fā)法制備薄膜過(guò)程中，蒸發(fā)源和基底之間都有一個(gè)溫度梯度，用來(lái)作為薄膜生長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α１緦?shí)驗(yàn)中設(shè)計(jì)了一種等溫薄膜生長(zhǎng)過(guò)程，利用薄膜同界面的吸引作為主要?jiǎng)恿Γ绕渫怀隽瞬煌缑鎸?duì)薄膜生長(zhǎng)的影響。其中，銀基底表面生長(zhǎng)的鍺膜具有取向生長(zhǎng)的特性，有望成為一種廉價(jià)的制備單晶鍺膜的方法。
　　2.實(shí)驗(yàn)中采用溶膠-凝膠法以鍺酸根離子水溶液作為前驅(qū)體制備了Sn摻雜GeO2粉體樣品。用X射線(xiàn)衍射和紅外光譜分析了試樣的微觀(guān)結(jié)構(gòu)；用X射線(xiàn)

2、能譜儀測(cè)試了試樣的組成；用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡觀(guān)察了試樣的微觀(guān)形貌；用紫外-可見(jiàn)光光譜分析了試樣的禁帶寬度。結(jié)果表明，Sn摻雜GeO2粉體試樣為單一六方GeO2晶相。Sn的摻雜引起了GeO2晶格常數(shù)有規(guī)律的變化和紅外吸收光譜的紅移。利用漫散射紫外-可見(jiàn)光光譜計(jì)算出GeO2和Sn摻雜GeO2試樣的禁帶寬度分別為5.04eV和4.51eV。熒光光譜顯示Sn摻雜GeO2試樣具有新的發(fā)光性質(zhì)，發(fā)光波長(zhǎng)為325nm。
　　3.實(shí)驗(yàn)中以二氧化

3、鍺粉末作為靶材料，以二氧化碳連續(xù)激光提供能量，在高純氮?dú)鈿夥障轮频昧嘶液谏勰?。通過(guò)透射電子顯微鏡(TEM)觀(guān)察其結(jié)構(gòu)，用能量分散色譜(EDS)儀分析其化學(xué)組成，用X射線(xiàn)衍射(XRD)分析其晶體結(jié)構(gòu)，使用熒光光譜表征其光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果顯示產(chǎn)物為外形規(guī)則的球形GeO2/Ge核殼結(jié)構(gòu)，表面光滑，其外殼為六方結(jié)構(gòu)的GeO2和無(wú)定形結(jié)構(gòu)的GeO2，其核組成為金剛石結(jié)構(gòu)的Ge納米顆粒，粒徑在50nm左右。核殼結(jié)構(gòu)在365nm的光的激發(fā)下有480nm