加載卸載磁頭抗沖擊特性分析及實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、隨著電子信息的發(fā)展,電子產(chǎn)品越來(lái)越智能化、多功能化,電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)設(shè)備也朝著微型化、高存儲(chǔ)容量的方向發(fā)展。作為電子產(chǎn)品存儲(chǔ)設(shè)備的典型代表的微硬盤(pán)的發(fā)展也越來(lái)越受關(guān)注,特別是存儲(chǔ)密度與抗跌落沖擊特性等方面成為國(guó)內(nèi)外學(xué)者重要的研究方向。為了迎合市場(chǎng)需求,硬盤(pán)的存儲(chǔ)密度飛速增加,最新資料表明硬盤(pán)采用新存儲(chǔ)技術(shù)HAMR的磁頭,其理論存儲(chǔ)密度可以達(dá)到5-10Tbit/in2,如此高的存儲(chǔ)密度將使硬盤(pán)的磁頭磁盤(pán)間距進(jìn)一步減小,這將對(duì)硬盤(pán)內(nèi)部的頭盤(pán)界

2、面抗沖擊特性提出巨大的挑戰(zhàn)。
　　為了提高微硬盤(pán)內(nèi)部的頭盤(pán)界面抗跌落沖擊特性,本文主要對(duì)頭盤(pán)界面的跌落沖擊響應(yīng)進(jìn)行研究。本文首先根據(jù)微硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的工作原理,對(duì)受到跌落撞擊的頭盤(pán)界面建立動(dòng)力學(xué)模型,建立頭盤(pán)系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)微分方程,通過(guò)數(shù)值仿真方法對(duì)頭盤(pán)界面的碰撞響應(yīng)進(jìn)行理論研究,得出硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器頭盤(pán)碰撞時(shí)的碰撞曲線。
　　為了更全面地對(duì)微硬盤(pán)跌落沖擊響應(yīng)進(jìn)行正確預(yù)測(cè),首先應(yīng)用ANSYS/LS-DYNA有限元?jiǎng)恿Ψ抡孳浖⑼暾奈⒂脖P(pán)

3、有限元模型,然后通過(guò)施加不同的沖擊載荷對(duì)微硬盤(pán)有限元模型進(jìn)行 LS-DYNA動(dòng)力仿真,分析不同的沖擊幅值、脈沖寬度、跌落方式等對(duì)硬盤(pán)的磁盤(pán)片振動(dòng)、頭盤(pán)碰撞、磁頭磁盤(pán)接觸力以及摩擦力的影響。
　　接著以沖擊實(shí)驗(yàn)臺(tái)為基礎(chǔ),對(duì)微硬盤(pán)樣件進(jìn)行激光切割使符合實(shí)驗(yàn)要求。設(shè)計(jì)加工微硬盤(pán)的夾具,建立跌落沖擊系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)臺(tái),對(duì)微硬盤(pán)做跌落沖擊實(shí)驗(yàn),利用激光多普勒振動(dòng)測(cè)試儀(LDV)測(cè)出微硬盤(pán)受到跌落沖擊作用時(shí)的頭盤(pán)界面的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。最后對(duì)微硬盤(pán)跌落沖擊實(shí)