基于源極隔離技術的集成電路敏感面積分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、航天技術是當今世界競爭最激烈、發(fā)展最迅速的領域之一,并代表著國家科技實力和綜合國力。隨著航天技術的飛速發(fā)展,電子設備在航天器中的應用越來越普遍。因此,處于空間輻射環(huán)境中的電子設備在輻射作用下,元器件會發(fā)生單粒子效應,以至于電子設備不能正常工作。空間輻射對半導體材料及器件的影響最為強烈,而且隨著工藝尺寸的縮減,半導體器件對單粒子效應的敏感度增加,新的加固技術的研究勢在必行。單粒子效應最基本的加固方法就是抑制敏感節(jié)點對電荷的收集量。PMOS

2、管的電荷收集機理包括載流子的漂移運動、擴散運動和寄生雙極效應。其中PMOS管的寄生雙擊效應對敏感節(jié)點的電荷收集起主要作用。有效的加固技術可以考慮抑制寄生雙極效應,從而減少敏感節(jié)點對電荷的收集量。有學者提出了源極隔離加固技術,源極隔離加固技術能夠有效抑制寄生雙極效應。本文首先將標準單元敏感面積作為評價指標,分析了源極隔離技術的加固效果;其次研究了源極隔離技術的性能開銷;然后研究了工藝尺寸縮減對源極隔離加固效果的影響;最后研究了源極隔離加固

3、技術在SRAM單元中的應用。
  本研究主要內(nèi)容包括:⑴基于180nm體硅雙阱工藝,以標準單元的敏感面積和SET脈沖寬度為評價指標,研究了源極隔離技術的加固效果。三維混合模擬結(jié)果顯示,采用源極隔離技術后,標準單元的敏感面積顯著減小。⑵分別以標準單元的敏感面積和SET脈沖寬度為評價指標,研究了源極隔離加固效果隨工藝縮減的變化。三維混合模擬結(jié)果表明,當工藝尺寸從180nm縮減到65nm時,源極隔離技術的加固效果會逐漸減弱,這主要歸因于

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