高密度密閉電子設(shè)備的散熱仿真及優(yōu)化.pdf

1、本文討論的高密度密閉電子設(shè)備具有使用環(huán)境溫度高(65℃)、單位體積內(nèi)熱耗高的特點，有效的散熱設(shè)計可以有效縮短整個產(chǎn)品的研發(fā)周期。散熱設(shè)計及優(yōu)化在電子設(shè)備的設(shè)計過程中扮演著越來越重要的角色。
　　本文分析了一款高密度密閉電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)特點，運用AUTO CAD，Pro/E等軟件進(jìn)行幾何模型初步建立，通過FloTHERM建立熱仿真模型，計算了穩(wěn)態(tài)溫度場，通過對該散熱系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計和測試的對比，總結(jié)了針對高密度密閉電子設(shè)備的數(shù)值仿真及熱

2、設(shè)計方法。具體內(nèi)容包括：首先討論了在FloTHERM軟件中，密閉電子設(shè)備內(nèi)部復(fù)雜組件的簡化和建模方法，建立相應(yīng)熱仿真模型的，通過設(shè)置邊界條件，劃分網(wǎng)格，求解了高溫條件下的該設(shè)備的穩(wěn)態(tài)溫度場的分布，并對其進(jìn)行了散熱分析；其次，分別從電子設(shè)備內(nèi)部的布局，設(shè)備后殼表面處理方式，發(fā)熱器件與散熱器之間的導(dǎo)熱介質(zhì)等因素考慮，討論了整個密閉電子設(shè)備的溫度場狀況，基于DoE(Design of Experiment)實驗設(shè)計的SO(Sequential

3、 Optimization)循序優(yōu)化法對后殼表面輻射因子，導(dǎo)熱介質(zhì)厚度，鰭片的間距、厚度、高度，基座厚度等進(jìn)行了散熱優(yōu)化設(shè)計，通過描述RSO(Response Surface Optimization)響應(yīng)面優(yōu)化法響應(yīng)面的構(gòu)建方法，分別通過隨機取點、均布取點和等高線取點等三種方式構(gòu)建了響應(yīng)面，討論并優(yōu)化了PCB(Printed Circuit Board)板上的CPU(Central Processing Unit)芯片的位置；最后構(gòu)建