2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、閃存是一種新型半導(dǎo)體存儲器,它憑借高密度、高存儲速度、低成本和防震等優(yōu)點(diǎn),成為了當(dāng)前主流的固態(tài)存儲器。然而隨著人們對存儲密度需求的不斷加大,早期的單級閃存逐漸被多級閃存所取代,多級閃存的單元密度更高,同時它的單元間干擾也更大,相鄰點(diǎn)位差的減少也使得錯誤較單級閃存更容易發(fā)生了。這種改變使閃存的壽命與數(shù)據(jù)可靠性面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),而差錯編碼方案正是提高閃存數(shù)據(jù)可靠性的有效途徑。
  傳統(tǒng)的差錯控制技術(shù)大多是基于磁盤的物理特性進(jìn)行設(shè)計的,

2、如果將它們直接應(yīng)用于閃存的差錯控制編碼,不但效率低,而且還有可能出現(xiàn)意料之外的錯誤。其原因在于磁盤與閃存在物理結(jié)構(gòu)、存取方式、錯誤類型等方面都有較大差異。而且由傳統(tǒng)糾錯碼直接演變出的糾錯碼在應(yīng)用于多級閃存時效果并不理想,而且它無法貼合物理特性解決多級閃存特有的錯誤,所以對閃存的差錯控制技術(shù)不光需要從編碼上研究,還需要對數(shù)據(jù)表示方案加以改進(jìn)。
  本文對多級閃存的差錯控制技術(shù)與數(shù)據(jù)表示方案進(jìn)行了研究,基于新型的等級調(diào)制方案(Rank

3、 Modulation Scheme),提出了一種自由前綴碼的遞歸構(gòu)造方法。本文的主要工作概括如下:
  1.概括了閃存的物理存儲結(jié)構(gòu),介紹了NAND型閃存的主要糾錯技術(shù),詳細(xì)分析了NAND型閃存的操作模型與噪聲類型,并且對NAND型多級閃存下的BCH編譯碼方案進(jìn)行研究。
  2.針對有限大小錯誤(Limited-Magnitude Errors)信道模型,通過計算分析,得到了NAND型多級閃存的閾值電壓分布與干擾噪聲的關(guān)系

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