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文檔簡介
1、SmCo5薄膜具有極高的單軸磁晶各向異性能,能很好地保持微小磁性顆粒的熱穩(wěn)定性,是未來超高密度垂直磁記錄介質(zhì)的候選材料之一,因而SmCo5薄膜及其底層材料的制備工藝、磁特性及其相關(guān)機(jī)理研究就極具意義。在磁存儲領(lǐng)域,位圖案化記錄方式可以大大提高記錄密度,很有潛力成為傳統(tǒng)垂直磁性連續(xù)薄膜的替代者,研究圖案化介質(zhì)模板制作工藝就尤為重要。
本文首先介紹了磁控濺射裝置,并對傳統(tǒng)光刻、電子束曝光和ICP刻蝕設(shè)備作了簡單描述,還對薄膜樣品的
2、微觀分析和SmCo5薄膜樣品的磁性能測試作了相關(guān)闡述。
接下來,本文研究了SmCo5/Cu/TiW薄膜的制備工藝,進(jìn)而就TiW籽晶層的引入對SmCo5/Cu薄膜磁性能的影響作了相關(guān)研究,發(fā)現(xiàn)SmCo5/Cu薄膜的磁性能隨TiW籽晶層厚度先增大后下降,當(dāng)TiW籽晶層為5nm時,薄膜的矯頑力和垂直磁各向異性能達(dá)到最大,分別為3719Oe,1.04×107erg/cm3。TiW籽晶層良好的阻擋特性與大的表面能是改善Cu底層的微結(jié)構(gòu)與
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