FePt垂直磁記錄介質(zhì)的制備與表征.pdf

1、本文采用磁控濺射方法制備了適用于垂直磁記錄的FePtAg、FePt/B4C介質(zhì),利用Ag底層誘導(dǎo)薄膜取向生長,首次利用(001)擇優(yōu)FePt薄膜及B4C復(fù)合形成新型介質(zhì),具有良好的應(yīng)用前景。并利用振動樣品磁強計、多參數(shù)物理測試系統(tǒng)、X射線衍射儀、透射電子顯微鏡、盧瑟福背散射等分析手段,研究了樣品Ag底層厚度、FePt單元層厚度、Fe的含量對樣品生長模式、結(jié)構(gòu)與磁性能的影響。 實驗結(jié)果表明,FePt合金不摻雜而Fe含量較少時,薄膜

2、主要形成的是居里溫度較低的FePt3,隨著薄膜中Fe的含量增大,薄膜主要生成L10結(jié)構(gòu)的FePt合金相,當Fe與Pt的沉積時間比為27s：14s時,薄膜的水平方向矯頑力為7.2kOe,此時薄膜中的Fe與Pt的原子比率為50.9:40.1,薄膜沒有表現(xiàn)出明顯的(001)擇優(yōu)與垂直磁晶各向異性。當引入Ag的底層后,L10相FePt的生長模式由隨機取向變?yōu)?001)擇優(yōu)生長,隨著薄膜中銀底層厚度的增大,薄膜的有序度在Ag底層厚度約為8nm時達

3、到最大值,顆粒尺寸在Ag底層厚度為16nm時達到最小值。薄膜的取向較好,I(001)/I(111)值最大為3.8,垂直與水平方向矯頑力比值隨著Ag底層厚度的增大而增大,薄膜的最大矯頑力為5.6kOe。另外,隨著薄膜中Fe含量的增大,薄膜的有序度明顯增強,薄膜的擇優(yōu)情況也被改善,富鐵薄膜的I(001)/I(111)達到10.14,與之相應(yīng)的薄膜的磁晶各向異性也有所提高,水平方向矯頑力受到抑制而垂直方向矯頑力得到提高。作者首次提出了在B4C