垂直磁記錄介質薄膜的制備及其晶體結構與磁性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在當今飛速發(fā)展的數(shù)字化、信息化時代，需要保存和處理大量計算數(shù)據(jù)或各類多媒體信息，這就要求信息存儲介質不但具有高密度、大容量、高速度，而且還要低成本、微型化的特點，產品應保持不斷更新。磁記錄具有記錄密度高、穩(wěn)定可靠、可反復使用、信息寫入與讀出速度快等特點，廣泛應用于醫(yī)療、電子計算技術、軍事、航天及日常生活等方面，從而成為當今信息社會必不可少的信息記錄方式。
　　 目前，縱向磁記錄應用較廣，但由于較高的自退磁效應，使高密度記錄介質的

2、進一步提高縱向磁記錄模式的記錄密度是比較困難的。而自退磁效應對于垂直磁記錄模式是可以克服的，進而為提高磁記錄密度提供了出路。
　　 在垂直磁記錄材料中，薄膜材料因為其晶體結構和磁性等方面的優(yōu)勢成為磁記錄領域中研究的熱點。在薄膜材料中，CoCr合金薄膜尤其是摻雜的薄膜更是成為重中之重。
　　 本文在室溫下應用對向靶直流磁控濺射法制備了不同系列C/CoCrTa/X (X=Cr、Ti) 樣品，采用X射線衍射儀測量了樣品的晶體結

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