垂直磁記錄介質(zhì)材料的制備及翻轉(zhuǎn)模式研究.pdf

1、隨著信息產(chǎn)業(yè)和互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，數(shù)據(jù)需求量越來越大。硬盤作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)中最重要的部分已經(jīng)不可替代，提高磁記錄存儲(chǔ)密度成為適應(yīng)信息產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的途徑之一。目前，商業(yè)化磁記錄技術(shù)已經(jīng)從水平磁記錄順利過渡到了垂直磁記錄，存儲(chǔ)密度超越了150 Gbit/in2，實(shí)驗(yàn)室范圍內(nèi)已經(jīng)達(dá)到了614.4Gbit/in2。雖然離垂直磁記錄的極限密度1-1.5 Tbit/in2已經(jīng)近在咫尺，但記錄密度的進(jìn)一步提高仍然依賴于新的介質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和新的記錄技術(shù)

2、的共同進(jìn)步。制約垂直磁記錄密度提高的主要因素是超順磁效應(yīng)，為了克服晶粒減小所帶來的熱擾動(dòng)性的影響，需要尋找高磁晶各向異性的材料作為記錄介質(zhì)。尋找新的記錄介質(zhì)、改善已有記錄介質(zhì)的性能成為本文所研究的主要目的。
　　下面是本論文研究的主要內(nèi)容：
　　1、高磁晶各向異性MnAl薄膜的研究：鐵磁性τ-MnAl具有較高的磁晶各向異性常數(shù)(KU=1.7×107 erg/cm3)，是理想的磁記錄介質(zhì)之一。本文研究主要是通過兩個(gè)方面改善樣品

3、的磁性能。首先，利用制備楔形膜的方式來精確控制τ-MnAl產(chǎn)生的元素配比，并且通過觀測其△M曲線研究MnAl顆粒間的相互作用方式和磁性翻轉(zhuǎn)模式。其次，通過制備緩沖層引導(dǎo)后續(xù)薄膜生長，在得到較好τ-MnAl緩沖層的條件下，制備出了具有較好磁性能的τ-MnAl樣品。
　　2、FePt基交換耦合結(jié)構(gòu)和梯度型結(jié)構(gòu)介質(zhì)研究：雖然FePt具有很高磁晶各向異性，但其矯頑力較大，使記錄信息很難寫入。在保持熱穩(wěn)定性的條件下有效降低寫入場是我們研究的