Si基LED外延層中C、H、O污染的SIMS研究.pdf

1、本文研究了一些方法來改善樣品吸附空氣對(duì)二次離子質(zhì)譜儀(SIMS)定量分析C、H、O的影響以及研究了SIMS同時(shí)分析元素?cái)?shù)量的多少對(duì)SIMS定量分析C、H、O元素的影響，進(jìn)而達(dá)到提高SIMS定量分析C、H、O的準(zhǔn)確性的目的;并利用SIMS研究了MOCVD的生長(zhǎng)條件（NH3流量大?。?duì)GaN材料以及AlN材料中C、H、O污染的影響，此外，本文還利用SIMS研究了本實(shí)驗(yàn)的Si襯底上緩沖層(AlN、AlGa)中C、H、O元素分布的均勻性，為本實(shí)

2、驗(yàn)室MOCVD生長(zhǎng)外延提供可靠的參考依據(jù)。獲得了以下研究成果:
　　 (1)將樣品置于SIMS樣品倉(cāng)中抽真空，伴隨抽真空的時(shí)間越長(zhǎng)，樣品吸附的空氣對(duì)SIMS定量分析C、H、O元素的影響越小，直至完全排除該影響（這個(gè)過程耗時(shí)較久）;通過在SIMS的液氮冷阱中加入液氮來克服樣品吸附空氣對(duì)SIMS定量分析C、H、O元素的能力是有限的，但是其可以輔助前者，減少抽真空所需要的時(shí)間，提高效率。
　　 (2) SIMS同時(shí)測(cè)試分析的元

3、素越少的時(shí)候，所得到C、H、O元素的SIMS曲線的深度分辨率較高。
　　 (3) GaN材料中含C量（C污染）隨著氨氣流量的增加而不斷減少，成冪函數(shù)關(guān)系;GaN材料中含H以及含O雜質(zhì)在氨氣流量增大的過程中無明顯變化; GaN材料的生長(zhǎng)速率伴隨著氨氣流量的增加而變慢。
　　 (4) AlN材料中含C量（C污染）隨著氨氣流量的增加不斷增加，和GaN材料中含C量與氨氣流量的關(guān)系完全相反;AlN材料中的含H雜質(zhì)以及含O雜質(zhì)也是伴