用于SIMS分析的LED芯片樣品制備.pdf

1、本文在分析LED芯片結(jié)構(gòu)和組分以及影響SIMS深度分辨因素的基礎(chǔ)上采用CMP技術(shù)對垂直結(jié)構(gòu)LED芯片進行加工。通過使用拋光劑對LED芯片進行減薄和平坦化處理,再利用奧林巴斯顯微鏡來對所制得樣品表面進行觀察和分析,并從中選出表面質(zhì)量較好的樣品;再利用臺階儀在篩選出來的樣品表面進行粗糙度的測定并尋找粗糙度比較小的區(qū)域,最后利用SIMS對篩選出來的區(qū)域進行深度剖析。本實驗獲得了以下研究成果:
　　(1)樣品本征粗糙度、濺射深度以及測試過

2、程中的展寬效應都會對SIMS深度分析產(chǎn)生很大的影響,因此為了提高測試結(jié)果的準確性,除了改善SIMS測試條件,還需對不同的樣品進行不同的優(yōu)化處理使其滿足SIMS分析的要求;
　　(2)由于LED芯片結(jié)構(gòu)的特殊性,SIMS無法直接對其進行深度分析,尤其是垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片,因其表面經(jīng)過了粗化處理且n-GaN比較厚,因此在進行SIMS分析前需對芯片進行減薄和平坦化處理;
　　(3)GaN具有很大的硬度和脆性且不易溶于酸堿,一般的

3、超精密方法無法對其進行有效的加工處理,而利用CMP方法可以使GaN達到一個很好的表面平整度;
　　(4)利用CMP加工LED芯片是一個很復雜精密的過程,為了提高樣品加工后的質(zhì)量,整個過程應采用循序而進的加工方式:粗拋—細拋—精拋。
　　(5)經(jīng)CMP加工后的LED芯片具有不同的表面質(zhì)量,需利用奧林巴斯顯微鏡從中篩選出質(zhì)量好的樣品,這里對“表面質(zhì)量好”的定義為樣品表面比較完好或是存在少許裂紋。
　　(6)通過臺階儀來尋找