LED芯片工藝參數(shù)分析測試技術(shù)的研究.pdf

1、發(fā)光二極管作為下一代光源有著廣泛的應(yīng)用前景,由于其能量轉(zhuǎn)化效率高,使用壽命長以及無污染等優(yōu)點(diǎn)對于未來社會的可持續(xù)發(fā)展有著重要的意義?，F(xiàn)在LED的制造工藝瓶頸主要集中在對薄膜生長厚度和化合物半導(dǎo)體薄膜組分的精確控制上。因此開發(fā)出一套針對LED芯片薄膜生長工藝的分析測試方法將具有十分重要的意義。
　　 本文介紹了通過分光光度法和Forouhi-Bloomer離散方程相結(jié)合的方法測定化合物半導(dǎo)體薄膜膜厚d的方法,并通過SIMS、橢圓偏

2、振儀、SEM等分析測試手段對實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證,證明了該方法測得薄膜厚度的可信性。
　　 通過數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)對比技術(shù),將通過擬和得到的化合物半導(dǎo)體薄膜的折射率n值與數(shù)據(jù)庫的數(shù)值進(jìn)行比較分析,得到了該層薄膜的化合物組分信息x,并通過XRD和XPS等分析測試手段對得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證,證明了該技術(shù)測得化合物半導(dǎo)體薄膜組分x的可信性。
　　 應(yīng)用了FIB“取出法”的制樣技術(shù)和TEM測試分析相結(jié)合,得到了較為快速的得到樣品量子阱信息