8ns 4M_bit高可靠性靜態(tài)隨機存儲器.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前，隨著市場對高速、高可靠性靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)越來越多的需求，文章提出了一個256k×16bit高性能SRAM的設(shè)計。本文主要有兩個創(chuàng)新點：其一，為了達(dá)到高速的要求，我們提出了一種新型的譯碼結(jié)構(gòu)，存儲陣列分高低位各四個子陣列，數(shù)據(jù)讀出寫入時，由UB、LB高低位選擇信號進行選擇，高低八位數(shù)據(jù)分別由四個子陣列同時選通兩位得到，而常用SRAM都是在一個陣列中選擇八位，這樣會造成在靠近輸出端和遠(yuǎn)離輸出端的信號輸出時間不同，本設(shè)計的譯碼

2、結(jié)構(gòu)避免了此類問題。其二，介于SRAM集成度高、制造過程中容易產(chǎn)生錯誤單元的特性，設(shè)計中增加了冗余邏輯和熔絲(FUSE)來替代SRAM中的錯誤單元，以提高成品率。該4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)工藝，在每個I/OPAD端口掛50pF電容的情況下進行仿真。與國外使用0.18μm工藝設(shè)計的同類產(chǎn)品相比，本文的SRAM訪問速度僅為8ns，工作溫度范圍為-55～125℃，而國外產(chǎn)品訪問速度為10～12ns，工作溫度范圍為-

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