SnAgCuCe無鉛焊點(diǎn)界面行為及微觀力學(xué)性能.pdf

1、新型無鉛釬料的開發(fā)與應(yīng)用已經(jīng)成為了電子封裝新材料研究的主要內(nèi)容之一,為了降低Sn-Ag-Cu系無鉛釬料成本并提高其使用性能,研究低銀型無鉛釬料微合金化具有十分重要的理論意義和實(shí)用價(jià)值。本文以低銀無鉛釬料Sn-0.3Ag-0.7Cu(SAC0307)為基體,通過添加不同含量的稀土元素Ce(0～0.25wt.％),研究了Ce對(duì)SAC0307的熔點(diǎn)、潤(rùn)濕性、微觀組織、焊點(diǎn)界面化合物生長(zhǎng)情況以及抗蠕變性能的影響。
　　 研究結(jié)果表明:S

2、AC0307-xCe合金熔化溫度均在215℃～218℃之間,變化很小。Ce的添加增大了SAC0307釬料的鋪展面積,SAC0307-0.05Ce釬料的鋪展面積最大,且光亮程度最好。
　　 SAC0307-xCe合金組織與SAC0307原始基體組織類似。隨著Ce元素加入量的添加,釬料合金的組織逐漸細(xì)化,當(dāng)Ce元素含量為0.25wt.％時(shí),釬料微觀組織中開始生成細(xì)小的粒狀物質(zhì)并逐漸長(zhǎng)大,大量的塊狀黑色稀土相彌散分布在組織中。

3、　　 經(jīng)過576h150℃等溫時(shí)效處理后,由于Ce是一種活性非常強(qiáng)的元素,適量的Ce元素使IMC的晶粒被細(xì)化,長(zhǎng)大速度變??；當(dāng)Ce含量超過一定值時(shí)(0.10wt.％),Ce不以固溶形式存在,而是生成Ce的黑色化合物,對(duì)晶粒長(zhǎng)大的抑制效果降低。SAC0307-0.05Ce/Cu IMC層的生長(zhǎng)速率最小,說明添加0.05 wt.％的Ce抑制IMC生長(zhǎng)的效果最好。
　　 采用納米壓痕法并根據(jù)載荷與位移曲線測(cè)量出SAC0307-xCe