一種高抗輻射SOI CMOS電脈沖時間間隔測定電路的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、90年代以來，隨著我國宇航事業(yè)的高速發(fā)展，人們對測距儀的核心部件——電脈沖時間間隔測定器的要求越來越高。傳統(tǒng)的體硅CMOS工藝制造的測距儀由于體硅材料和器件結(jié)構(gòu)的限制，無法工作在惡劣的環(huán)境下，空間的輻射、溫度的升高等都會導(dǎo)致器件和電路的性能急劇惡化，測量精度和工作速度下降，不能滿足宇航事業(yè)的要求。為了使器件能在惡劣的條件下仍能正常工作。SOI技術(shù)以其獨(dú)特的材料結(jié)構(gòu)有效地克服了體硅材料的不足，它具有無閉鎖效應(yīng)；漏源寄生電容小；較高的跨導(dǎo)和

2、電流驅(qū)動能力；器件結(jié)構(gòu)簡單；器件之間距離??；集成度高；抗輻射性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。本文采用了SOI(Silicon-on-Insulator)技術(shù)進(jìn)行該集成電路的制作。首先，利用SPICE軟件和BSIM3SOI器件模型對SOIMOSFET器件進(jìn)行了模擬，分析了SOIMOSFET器件的特性和這些特性對電路的影響，為SOI電脈沖時間間隔測定器制作中基本器件——SOIMOSFET提供了設(shè)計依據(jù)。其次，在闡述電路工作原理的基礎(chǔ)上，本文重點(diǎn)進(jìn)行了抗輻射

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