瞬態(tài)增強(qiáng)的無(wú)電容型LDO設(shè)計(jì).pdf

1、華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文瞬態(tài)增強(qiáng)的無(wú)電容型LDO設(shè)計(jì)姓名：鄒志革申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：鄒雪城20070521II響應(yīng)特性，作為對(duì)比，重點(diǎn)研究了無(wú)電容型LDO的瞬態(tài)特性，分析了所有影響瞬態(tài)特性的因素。針對(duì)影響瞬態(tài)特性的重要因素，提出了一種基于簡(jiǎn)單電壓比較的無(wú)電容型LDO的瞬態(tài)增強(qiáng)方法。該方法基于基本運(yùn)算放大器、基本反向器、推挽輸出級(jí)，在LDO負(fù)載瞬態(tài)變化時(shí)，能為調(diào)整管柵極提供額外的驅(qū)動(dòng)電流，有效提高無(wú)電容型

2、LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度。基于上述研究，本論文設(shè)計(jì)了一款基于HHNEC0.25m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的瞬態(tài)增強(qiáng)無(wú)電容型LDO電路，應(yīng)用在無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)基帶SoC芯片中。給出了詳細(xì)的設(shè)計(jì)流程，包括芯片規(guī)格定義、模塊劃分和指標(biāo)推導(dǎo)及確定、混合模型驗(yàn)證各模塊指標(biāo)、晶體管級(jí)電路設(shè)計(jì)、仿真和驗(yàn)證。該LDO電路的工作電壓為2.0V～3.3V，在提供100mA負(fù)載電流的情況下電壓差僅為50mV，負(fù)載瞬態(tài)變化時(shí)的最大輸出電壓過(guò)沖量為90mV，由于電源電壓變