無(wú)外接電容型LDO環(huán)路穩(wěn)定性的研究.pdf

1、受益于半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展，各類(lèi)電子產(chǎn)品已經(jīng)融入到人們的日常生活，特別是筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)、MP3/MP4等便攜式產(chǎn)品已經(jīng)成為我們生活不可或缺的一部分。在如今提倡低碳環(huán)保的國(guó)際形勢(shì)下，合理利用能源變得尤為重要，而在電子產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)這一功能的便是電源管理芯片，DC-DC開(kāi)關(guān)電源管理芯片由于其高效低耗的優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備當(dāng)中，同時(shí)市場(chǎng)的需求也為DC-DC開(kāi)關(guān)電源芯片的性能提出了越來(lái)越高的要求。
　　DC-DC電源管

2、理芯片內(nèi)部也是需要供電模塊的，一般由LDO(低壓差)線(xiàn)性穩(wěn)壓器和基準(zhǔn)構(gòu)成，內(nèi)部供電模塊的性能與否直接影響到芯片自身的可靠性，因此內(nèi)部供電模塊是至關(guān)重要的，而LDO的環(huán)路穩(wěn)定性是諸多性能指標(biāo)中最值得重視的。
　　本文從LDO的基本理論和電性能指標(biāo)入手，強(qiáng)調(diào)出LDO環(huán)路穩(wěn)定性的重要性，再?gòu)睦碚撏茖?dǎo)中分析了目前應(yīng)用較為廣泛的環(huán)路補(bǔ)償方式。根據(jù)對(duì)LDO低頻增益的需求，設(shè)計(jì)了一種能夠跟蹤負(fù)載對(duì)環(huán)路增益進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾娐罚槍?duì)以往基準(zhǔn)預(yù)穩(wěn)壓電路對(duì)

3、工藝的苛刻需求，及對(duì)系統(tǒng)最低工作電壓產(chǎn)生負(fù)面影響的實(shí)際情況，設(shè)計(jì)了一種自基準(zhǔn)LDO，基準(zhǔn)和LDO構(gòu)成自供電自偏置回路，無(wú)需再為基準(zhǔn)單獨(dú)供電，這種設(shè)計(jì)方法，能夠有效地縮小DC-DC電源管理芯片內(nèi)部供電模塊的面積，從而減小芯片本身的面積，最終達(dá)到降低成本的目的。
　　基于0.5μm BCD工藝，在Hspice仿真平臺(tái)下，對(duì)上述的兩種無(wú)外接電容型LDO進(jìn)行了驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明，跟蹤負(fù)載增益補(bǔ)償?shù)腖DO，負(fù)載從10μA變化至10mA時(shí)，補(bǔ)