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1、基于新原理、新效應(yīng)、新結(jié)構(gòu)的微納器件與系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)已成為當(dāng)前微納機(jī)電系統(tǒng)(M/NEMS)技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種利用表面淺結(jié)工藝技術(shù)制造的微/納跨尺度M/NEMS器件,具有多個(gè)工作參數(shù)和工作區(qū)域,通過(guò)優(yōu)化選擇不同的工作區(qū)域和參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)不同域或場(chǎng)中的高靈敏傳感與探測(cè)。
本論文基于力電轉(zhuǎn)換效應(yīng),提出了一種 HEMT嵌入式的微納傳感結(jié)構(gòu),對(duì)HEMT嵌入式微加速度計(jì)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工和測(cè)試等方
2、面進(jìn)行了研究。首先修改了敏感單元HEMT的結(jié)構(gòu)版圖,優(yōu)化了微加速度計(jì)結(jié)構(gòu),利用表面微電子加工工藝和MEMS體加工工藝相結(jié)合的方法,成功制備出GaAs基HEMT嵌入式微加速度計(jì)結(jié)構(gòu)。研究了敏感單元 HEMT的基本輸出特性、柵槽刻蝕深度對(duì)器件電學(xué)參數(shù)的影響以及漏極電流溫漂系數(shù)的偏壓調(diào)制效應(yīng)。研究結(jié)果表明單柵HEMT的性能較好;柵槽刻蝕深度對(duì)HEMT的飽和電流和閾值電壓存在一定的影響;漏極電流的溫漂系數(shù)受柵極電壓和漏極電壓的影響。同時(shí),從靜態(tài)
3、特性和動(dòng)態(tài)特性兩方面研究了微加速度計(jì)的力電檢測(cè)效應(yīng),給出了微加速度計(jì)的量程、靈敏度、頻響特性以及壓阻系數(shù)和靈敏度的偏壓調(diào)制效應(yīng)。研究結(jié)果表明該批加速度計(jì)的量程比前一批大,靈敏度與前一批相近;當(dāng)頻率小于500Hz時(shí),加速度計(jì)的頻響特性較為理想;微加速度計(jì)的壓阻系數(shù)和靈敏度的大小強(qiáng)烈的依賴于所選擇的柵極電壓和漏極電壓。
該 HEMT嵌入式微加速度計(jì)為微重力、微位移、壓強(qiáng)等參數(shù)的測(cè)試提供了一種新的方法,為高靈敏度微傳感結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)制造
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