橫向雙擴(kuò)散MOSFET的工藝整合及優(yōu)化.pdf

1、市場(chǎng)對(duì)器件低功耗，小體積，功能集成化的需求越來越高，使得功率器件與集成電路結(jié)合形成的功率集成電路的迅速發(fā)展成為一種必然。橫向雙擴(kuò)散MOSFET(LDMOS: Lateral Double-diffusion Metal Oxide Semiconductor)作為功率器件中低功耗且最易與集成電路工藝結(jié)合的器件，有著越來越廣泛的應(yīng)用與良好的市場(chǎng)前景。
　　本文討論了在0.18um標(biāo)準(zhǔn)CMOS(Complementary Metal

2、Oxide Semiconductor)工藝平臺(tái)上開發(fā)的高壓集成電路工藝的工藝流程，分析了此高壓集成電路工藝中LDMOS的柵氧化層完整性（GOI: Gate Oxide Integrity）及LDMOS與其他MOS器件之間的隔離問題。具體內(nèi)容為:
　　A:研究了LDMOS與低壓CMOS集成所面臨的工藝調(diào)整問題，通過盡可能少的改動(dòng)使集成在同一芯片上的LDMOS與低壓CMOS器件的性能都令人滿意。
　　B:用快速熱氧化的方法解決

3、了LDMOS的柵極上存在多晶硅孔洞的問題，用兩次襯墊氧化層(Liner Oxide)工藝及兩次氫氟酸浸蘸(HF Dip)工藝消除了STI(Shallow Trench Isolation)倒角對(duì)LDMOS柵氧化層厚度的影響。這兩個(gè)問題的解決大大提高了LDMOS的抗擊穿特性。
　　C:采用了局部離子注入的方法改善同型同阱區(qū)LDMOS之間以及不同阱區(qū)LDPMOS之間的隔離;采用深N阱工藝改善不同阱區(qū)LDNMOS之間的隔離;采用了倒轉(zhuǎn)阱