場電子激勵下ZnO納晶薄膜紫外發(fā)光特性研究.pdf

1、在節(jié)能減排、綠色環(huán)保的時代主題下，發(fā)掘更高效能、更低成本、環(huán)境友好型發(fā)光器件是光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基本目標(biāo)之一。另一方面，紫外光源在環(huán)境凈化、有機聚合、熒光激發(fā)源、半導(dǎo)體工藝等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，特別作為熒光粉激勵源，紫外光源加熒光粉是實現(xiàn)白光LED的重要途徑。然而傳統(tǒng)紫外汞燈帶來的環(huán)境問題已經(jīng)越來越不可忽視，對新型紫外發(fā)光器件的研究就顯得尤為重要，以ZnO為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料則是制備新型紫外發(fā)光器件的基礎(chǔ)。
　　本課題以研究新型高效

2、率半導(dǎo)體紫外發(fā)光器件為目標(biāo)，旨在探究以氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶納米晶材料在陰極射線(電子)激勵下的紫外發(fā)光特性。主要工作和研究成果包括以下幾個方面：
　　1、研究了利用射頻磁控濺射結(jié)合水熱生長兩步法制備 ZnO納米晶薄膜的工藝，制備出均勻致密分布的ZnO納米晶薄膜。測試了不同工藝參數(shù)下所制備的ZnO納米棒陣列的 PL譜，同時對不同發(fā)射峰的發(fā)光機理進行了簡要分析，為 ZnO納晶薄膜在電子激勵下的發(fā)光特性研究提供了理論參考和對比

3、。
　　2、結(jié)合已有的研究成果，對微波等離子體氣相沉積(MWPCVD)法制備碳納米管陣列工藝進行了進一步的探索，并對制備的碳納米管樣品的形貌及場發(fā)射性能進行了簡單測試。
　　3、設(shè)計并加工了測試裝置，測試了ZnO納晶薄膜在場電子激勵下的發(fā)光特性，結(jié)果表明：在電子束流激勵下，ZnO納米晶薄膜的光譜具有兩個發(fā)射峰，其中黃綠峰屬于缺陷發(fā)光而紫外峰來源于ZnO的內(nèi)在激子，且隨電子束流密度的增大紫外峰增長明顯。另外，還發(fā)現(xiàn)ZnO納米晶