深亞微米工藝下Memory特征參數(shù)提取關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、本文介紹了深亞微米工藝條件下Memory特征參數(shù)提取的方法,并對其中涉及的關(guān)鍵問題如激勵(lì)波形自動(dòng)生成算法,Memory非活動(dòng)存儲單元精簡和互連線RLC網(wǎng)絡(luò)壓縮算法,以及特征參數(shù)提取算法進(jìn)行了詳細(xì)的探討.實(shí)驗(yàn)證明上述Memory特征參數(shù)提取方法可以快速準(zhǔn)確的進(jìn)行深亞微米工藝下Memory特征參數(shù)提取及建模.我們借鑒當(dāng)今深亞微米工藝下集成電路設(shè)計(jì)流程,結(jié)合Memory的功能和結(jié)構(gòu)特點(diǎn),給出了Memory特征參數(shù)提取的流程.我們借鑒時(shí)序電路邏

2、輯參數(shù)自動(dòng)生成的算法,針對memory的功能特點(diǎn)進(jìn)行了修改,從而得到了Memory特征參數(shù)提取的激勵(lì)波形自動(dòng)生成算法,該算法將在本文第三章中介紹.本文第四,第五章分別詳細(xì)介紹了應(yīng)用網(wǎng)絡(luò)壓縮算法對互連線RLC網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電路精簡,針對Memory存儲單元狀態(tài)特點(diǎn)進(jìn)行的非活動(dòng)存儲單元精簡,和針對Memory地址解碼,信號放大等外圍電路中"靜止"晶體管的精簡.實(shí)際應(yīng)用中證明上述電路精簡方法可以在保持較好的精度的同時(shí)顯著縮小電路規(guī)模,節(jié)省仿真時(shí)間.