深亞微米全耗盡SOI MOSFET參數(shù)提取方法的研究.pdf

1、隨著SOI技術的迅速發(fā)展,憑借SOI器件本身固有的優(yōu)良特性,SOI器件已經(jīng)在眾多領域得到了應用.對SOI電路進行HSPICE仿真是電路設計的有效手段,然而精確的器件參數(shù)是保證仿真正確的必要條件,因此對不同工藝條件下的SOI電路進行SPICE仿真時首先需要提取其器件參數(shù).由于SOI MOSFET包含許多復雜的物理效應,從而使得參數(shù)提取工作變得非常棘手,傳統(tǒng)參數(shù)提取,需要對器件進行建模,然后選擇提取算法,進行大量的計算.為了減少計算量,提高

2、參數(shù)提取效率,本文考慮借助ISE器件模擬軟件進行參數(shù)提取的工作. 在分析了傳統(tǒng)參數(shù)提取的方法和流程后,針對傳統(tǒng)參數(shù)提取過于繁瑣,需要大量的計算的缺點,論文研究了一種新的參數(shù)提取方法.首先利用ISE器件模擬軟件,建立了0.25μm全耗盡SOI MOSFET結(jié)構(gòu),對其IV特性進行了模擬,在模擬的過程中加入了二級物理效應模型,浮體效應模型,自加熱效應模型等:然后將模擬得到的特性曲線與已有的實測曲線相對比,對比相吻合后,利用模擬的特性曲

3、線進行外推,參照傳統(tǒng)體硅器件的參數(shù)提取方法,基于BSIMSOI器件模型,對0.25μm SOI MOSFET進行了參數(shù)提取的工作；最后根據(jù)CompactModel Council的標準對SOI MOSFET物理模型和參數(shù)進行了驗證.通過SOIMOSFET器件的ISE模擬出的特性曲線與相對應的實測曲線的對比,驗證了SOIMOSFET物理模型的正確性；通過將SOI MOSFET器件提取出的參數(shù)代入HSPICE中進行模擬,得到的特性曲線與IS