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文檔簡(jiǎn)介
1、目錄摘要..........................................................................................................……,........……1Abstract.……,....................................................................................
2、.......................……2第一章緒論..……,..............................................……,.............................................……31.1中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展............................................................................
3、.......……31.2激烈競(jìng)爭(zhēng)的IC制造業(yè).........................……,.............................................……41.3良率...........................................................................................................……41.4晶圓表
4、面污染物的分類與濕法清洗簡(jiǎn)介...............................................……51.5課題的提出..............................……,...........……,...............……,.……,........……,.6第二章深亞微米顆粒在多晶硅柵工藝中的危害二,.........................……,............……72
5、.1深亞微米污染物導(dǎo)致的產(chǎn)品問題....................................................……,……72.2對(duì)于缺陷性質(zhì)與影響的分析...................................................................……82.3深亞微米表面污染物的來源.............................……,..............
6、.................……92.4本章小結(jié).................................................................……,.........................……H第三章深亞微米污染物的產(chǎn)生和分析........……,............................................……123.1間接觀測(cè)深亞微米污染物的方法..……,
7、................................................……123.2間接觀測(cè)法的應(yīng)用實(shí)驗(yàn).........................................................................……143.3SPM槽污染物的來源.…__....……_二,_二,.甲.……,.…_,_._.........……_.....……,......……巧3.4本章小結(jié)
8、二,............................................................……_......................……,.…17第四章深亞微米污染物去除工藝的優(yōu)化........................................................……184.1污染物的微觀分類...……,................................
9、......................................……184.2污染物的去除機(jī)理以及影響因素........................................................……184.3SCI清洗與兆聲波技術(shù).……,....................……,....................................……,二204.4優(yōu)化濕法光阻剝離后的清洗工藝.
10、.....................................……,...........……234.5木章小結(jié)....……,..................................................……,.......……,..............……25第五章深亞微米污染物的監(jiān)控方法.......................................................
11、.........……265.1放大檢測(cè)法的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)..............................……,................................……265.2SPM藥液的使用時(shí)間與檢測(cè)結(jié)果的關(guān)系...........................................……275.3檢測(cè)工藝過程中的系統(tǒng)誤差..…,....……_.................……,...........
12、..……,...……285.4如何回收利用檢測(cè)控片……,....................................……,....................……295.5本章小結(jié)....................................................……,....................……_…,..……_.…30第六章總結(jié)與展望_...……,..................
13、....……,.............……,.……,........................……316.1深亞微米顆粒研究結(jié)果總結(jié).................……‘..........……,......................……316.2清洗技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)展望............................……_.....................................……32參考文獻(xiàn)..
14、..............................................................................……,.......................……34致謝..............................................................……,....……,..…,....................……,.....……36Ab
15、straCtAsthegeometryoftheICdevices15getingsmallerandsmaller,themanufaettlreteehniquesmustbecontinuouslyoPtintized.For0.13件mlogicProeess,afterPhotesistarieestriPProcessbefePolyeteh,someverysmallPartieleslessthan0.1件mwhiehe
16、annotbedeteetedbythemeasurementtoolarefound.It15revealedthatthesetinydefeetswilleausePolyresidueissueandlowyieldissue.ToobservethesetinyPaltieles,anindirectmeasurementmethodinWhiehthetinyPaltieleswillbema加fiedbyPolyDEP15
17、ProPosed.Withthisnewmethod,theeontaminatedSPMbathwasfoundandtheeontajminationsouree15eonfirnledasAA一ETProcessduetoitsPolymerresidualsafterdryeteh.TWooPtimizedProeessesaresuggested:1)APPlyingmega一soniefunetioninSCIeleanaf
18、terPR一striPeanimProvetinyPartielesremovalrate,andthePoly一51filmwillnotbedamagedbyhighenergymega一sonie:2)SeParatingAA一ETProcessfromthekeyfilmeleanProeesstoavoiderosseontamination.ThistwooPtimizesolutionseanProvidesteadywe
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