超深亞微米PMOSFET的NBTI效應(yīng)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、超深亞微米PMOSFET中的NBTI（NegativeBiasTemperatureInstability）效應(yīng)已經(jīng)成為對CMOS器件和電路可靠性的嚴(yán)重威脅。隨著器件尺寸的減小和柵氧厚度的減薄NBTI效應(yīng)所引發(fā)的退化越來越嚴(yán)重。本文主要針對超深亞微米PMOSFET中的NBTI效應(yīng)進(jìn)行了研究。 首先，通過實驗分析了NBTI退化行為及其使器件參數(shù)漂移的影響，其中閾值電壓Vth呈現(xiàn)出最大的相對漂移量，這些漂移是由于NBTI退化過程中在

2、Si/SiO2界面處界面陷阱電荷Qit和正氧化層固定電荷Qf的產(chǎn)生所引起的。應(yīng)力溫度的升高，負(fù)柵壓偏置應(yīng)力的增大以及柵氧厚度的減薄都會使器件的參數(shù)漂移增強，這使得NBTI退化可能成為CMOS器件發(fā)展的嚴(yán)重障礙。 其次，在NBTI退化現(xiàn)象研究的基礎(chǔ)上，給出了NBTI退化的可能機(jī)理。從幾何上討論了三維空間對界面陷阱Qit的影響。同時給出了工藝方法和條件對NBTI效應(yīng)影響的抑制方法。 再次，論文對PMOSFET中的NBTI+H

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