2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本論文的中心為超大規(guī)模集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)的器件模型與模擬問(wèn)題。基于集成電路技術(shù)的高速發(fā)展，電路集成度與性能的不斷提高，器件等比例縮小已進(jìn)入特征尺寸為深亞微米/納米范疇，已達(dá)到了半導(dǎo)體器件的物理限制。因此，深亞微米/納米級(jí)的MOSFET的新型結(jié)構(gòu)研究，以及其建模和模擬研究，就成為有相當(dāng)理論與實(shí)踐意義的工作。MOSFET的研究簡(jiǎn)單概述為兩個(gè)方面：一是MOSFET的等比例縮小，二是相應(yīng)的器件模型及模擬。三維電路結(jié)構(gòu)是集成電路結(jié)構(gòu)技術(shù)的發(fā)

2、展方向之一，需要研究新的結(jié)構(gòu)技術(shù)及相應(yīng)的建模和模擬。在器件尺寸已進(jìn)入載流子輸運(yùn)特征尺寸范圍的階段，載流子輸運(yùn)模型的物理層次已從漂移擴(kuò)散模型向半經(jīng)典的玻耳茲曼輸運(yùn)模型、全量子模型發(fā)展。因而，發(fā)展新型的大規(guī)模集成電路(VLSI)器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)行更高物理層次的建模與模擬，研究新的計(jì)算技術(shù)，是本論文的主要目標(biāo)。本論文的主要內(nèi)容為：①研究MOSFET等比例縮小的物理限制與結(jié)構(gòu)技術(shù)，建立新的器件結(jié)構(gòu)。②研究適合于深亞微米/納米級(jí)MOSFET的模型及

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