深亞微米FPGA互連抗軟錯誤方法研究.pdf

1、目錄目錄目錄...................................……，.................................................……，……，................……1摘要....................................................................................................

2、.....................……3Abstraet第1章1.1.1.21.31.41.5第2章2.12.22.3第3章3.13.23.33.43.5第4章....................................................................................................................……4引言...............

3、....……，.............................................................................……6FPGA硬件結構介紹……，.....................................................................……61.1.1.FPGA結構與現(xiàn)狀.................................

4、....................................……61.1.2.主流FPGA廠商介紹......................................................……‘二，.……8FPGA開發(fā)環(huán)境.....................................................……，........................……9單粒子翻轉對FPGA的

5、影響.............................................................……n工作重點..............................................................................................……13論文組織................................................

6、.............................................……14單粒子翻轉及抗軟錯誤綜述............……，...........................................……巧單粒子翻轉和軟錯誤簡介...........................……，................................……15集成電路抗軟錯誤研究現(xiàn)狀及分析......

7、............................................……162.2.1.IC抗軟錯誤措施綜述..............................................................……162.2，2.FPGA抗軟錯誤進展................................................................……18本章小結..

8、........................................................................……，.............……22抗軟錯誤SRAM單元設計................................................................……23抗軟錯誤SRAM單元研究現(xiàn)狀....................……、，、，……、，、、.、

9、二、.、，，、，…、.、23SRAM單元翻轉機理..........……，........................................................……24STSRAM單元結構..…，......................................................................……26抗軟錯誤仿真及評估..........................

10、............................……，.............……293.4.1.關鍵電荷......................................……，........................……，.......……293.4.2.單粒子入射電路模擬...............................................................……293

11、.4.3.仿真條件................................................................................……，二313.4.4.仿真結果.........................................................……，...................……31本章小結............……，.............

12、....................……，...................................……34抗軟錯誤布線算法研究............................……，...................................……35基本搜索算法介紹..…卜..................................................................

13、......……35布線資源圖....……，...........................................................................……，二37基于布通率驅動的FPGA布線算法.................................................……39‘l勺白，J444摘要摘要FPGA具有出色的現(xiàn)場可編程和通用靈活性，因此被廣泛用于國防裝備、民用

14、通信、消費類電子產品、汽車、醫(yī)療等領域。然而，隨著半導體工藝技術的發(fā)展，節(jié)點電容和電源電壓的減小加劇了軟錯誤對FPGA的影響。高能帶電粒子入射SRAM單元敏感節(jié)點發(fā)生單粒子翻轉會引起基于SRAM的FPGA的存儲單元配置信息變化，進而導致用戶電路軟錯誤。由于基于SRAM的FPGA中大部分的配置位用于控制芯片的互連資源結構，如果不使用減緩單粒子翻轉的措施，則FPGA互連資源容易發(fā)生軟錯誤。統(tǒng)計數(shù)據表明，單粒子翻轉引發(fā)的互連資源軟錯誤次數(shù)約占

15、單粒子翻轉引起FPGA軟錯誤總次數(shù)的80%。FPGA開發(fā)包含了硬件結構設計以及配套的開發(fā)環(huán)境設計兩部分。本文分別從SRAM的單元結構和開發(fā)環(huán)境CAD流程中的布線模塊出發(fā)尋求提升基于SRAM的FPGA芯片中互連資源的抗軟錯誤方法。在基于SRAM的FPGA內，SRAM單元存放著FPGA的配置數(shù)據，因此增強SRAM的抗軟錯誤性能是提升FPGA可靠性的最有效方式之一。本文提出了一種具有良好抗軟錯誤性能的SRAM單元結構—STSRAM，并采用工業(yè)

16、級“nmCMOS工藝庫對6TSRAM、ASRAMO以及STSRAM單元的讀寫速度、漏電功耗以及抗軟錯誤性能進行了SPICE仿真。仿真結果表明STSRAM結構抗軟錯誤性能比傳統(tǒng)的6TSRAM以及ASRAMO更好，其軟錯誤率比6下SRAM結構減少了44.20%。同時，本文對FPGA開發(fā)系統(tǒng)CAD流程的布線模塊進行研究，并對單粒子翻轉引起的FPGA互連錯誤類型展開分析。在此基礎上，本文在經典的VPR布通率驅動布線算法的基礎上提出了抗軟錯誤布線