2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩66頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著器件工藝尺寸的不斷減小,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,SRAM)中相鄰的存儲(chǔ)單元之間的距離變得越來越近,對(duì)空間和地面中的質(zhì)子、中子、τ粒子以及宇宙射線等電離輻射更加敏感。由一次電離輻射事件造成的單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset,SEU)和多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)(Multiple Bit Upset,MBU)都明顯增加。存儲(chǔ)器抗輻射翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為SRAM加固中的研究熱點(diǎn)。
  同

2、時(shí),由于CMOS超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,器件等比例縮小、柵介質(zhì)層厚度的不斷減小,負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)效應(yīng)對(duì)PMOS器件和電路的可靠性的影響變得越來越顯著,成為影響器件及電路壽命不可忽略的因素之一。
  本文在深入研究存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元單節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)和多位翻轉(zhuǎn)以及NBTI效應(yīng)對(duì)器件老化的影響的基礎(chǔ)上,從電路級(jí)和系統(tǒng)級(jí)加固方法的角度出發(fā),利用一步大數(shù)邏輯譯碼

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論