反向光刻技術(shù)和版圖復(fù)雜度研究.pdf

1、隨著集成電路工藝發(fā)展到超深亞微米階段,光刻工藝已經(jīng)成為限制集成電路技術(shù)發(fā)展的因素之一。光學(xué)鄰近效應(yīng)在當(dāng)前集成電路制造過程中變得越來越嚴(yán)重,工藝界采用多種分辨率增強(qiáng)技術(shù)來應(yīng)對這一問題。光學(xué)鄰近校正技術(shù)作為傳統(tǒng)的分辨率增強(qiáng)技術(shù)中的核心技術(shù)之一,得到了廣泛的應(yīng)用。然而隨著集成電路工藝節(jié)點不斷降低,目前最先進(jìn)的工藝已經(jīng)到達(dá)了22nm,光學(xué)鄰近校正技術(shù)在應(yīng)用上也碰到了越來越多的困難,而反向光刻技術(shù)以其優(yōu)異的特點越來越受到人們關(guān)注。由于采用反向光刻

2、技術(shù)得到的版圖圖形十分復(fù)雜,很難直接應(yīng)用在實際生產(chǎn)上,大大限制了反向光刻技術(shù)的發(fā)展。
　　 本文對反向光刻技術(shù)以及各個懲罰項做了詳細(xì)介紹,并針對版圖復(fù)雜度進(jìn)行深入的研究,在前人提出的局部小波懲罰項基礎(chǔ)上提出了一種新的復(fù)雜度懲罰項,本文中稱為全局小波懲罰項。不同于局部小波懲罰項只能減小版圖固定方向上的高頻分量,全局小波懲罰項能檢測到版圖各個方向上的高頻分量,并選擇高頻分量值最多的方向進(jìn)行衰減,從而能夠更加有效的降低版圖的高頻分量,