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文檔簡介
1、半導(dǎo)體功率器件是電力電子領(lǐng)域的重要元器件,是實現(xiàn)強電與弱電之間接口的橋梁。在開關(guān)電源、變頻、顯示、節(jié)能降耗及生態(tài)與環(huán)境保護等方面均有廣闊的應(yīng)用前景。半導(dǎo)體功率器件是為解決電子領(lǐng)域面臨的功率放大與功率控制需要開發(fā)出來,而且,隨著功率電子技術(shù)的不斷發(fā)展壯大產(chǎn)生了功率電子學(xué)這種新的學(xué)科分支。
1979年,H.W.Collins等人提出了一種垂直雙擴散MOS結(jié)構(gòu)。VDMOS是將微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)融合起來的新一代功率半導(dǎo)體器件
2、。以VDMOSFET為典型代表的MOS半導(dǎo)體功率器件是如今電力電子器件領(lǐng)域的主流,功率VDMOSFET是功率電力電子器件的主流產(chǎn)品之一,它在大功率開關(guān)、功率放大器等領(lǐng)域中的應(yīng)用日益廣泛。VDMOSFET是用電場效應(yīng)控制電流,屬于電壓控制器件,具有高輸入阻抗,低導(dǎo)通電阻,因而驅(qū)動功率很小,大輸出電流,開關(guān)速度快,工作頻率高,無二次擊穿,安全工作區(qū)寬,跨導(dǎo)線性好,放大失真小,熱穩(wěn)定性好等特點。
本文首先概括了功率MOSFET的
3、國內(nèi)外發(fā)展歷史及其研究現(xiàn)狀,提出了本課題的研究意義和研究價值;討論了MOS的結(jié)構(gòu)特征及特性并對MOSFET器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理進行了介紹。然后,文章重點分析了能夠影響功率VDMOSFET導(dǎo)通電阻、閥值電壓等參數(shù)的各種因素。利用軟件模擬,通過計算機的大量計算,然后依工藝條件選擇適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)參數(shù),使芯片面積達到最小化,從而使成本降低。
本工作實現(xiàn)功率VDMOSFET器件的計算機模擬所采用的是新一代TCAD工具包括:Senta
4、urus-Process工藝仿真工具、Sentaurus-Structure Editor器件結(jié)構(gòu)編輯工具、Sentaurus-Device物理特性仿真工具、集成化的虛擬設(shè)計平臺SentaurusWorkBench等半導(dǎo)體器件可制造性設(shè)計工具。
研究工作的核心階段是利用Sentaurus process工具建立工藝文件,進行了選擇及參數(shù)修正以用于VDMOSFET器件的模擬,筆者使用Sentaurus device工具對VD
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