2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、有機(jī)發(fā)光晶體管(OLET)是將有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)集成在一起的器件,可利用晶體管來(lái)控制其發(fā)光強(qiáng)度。它具有高電流密度、控制能力強(qiáng)以及制作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。垂直構(gòu)型有機(jī)發(fā)光晶體管(VOLET)采用垂直結(jié)構(gòu)能縮短溝道、降低工作電壓,并進(jìn)而提高發(fā)光效率,具有優(yōu)越的性能。 本文制備并研究了VOLET器件的光電特性,通過(guò)加入空穴傳輸材料、改變介電層及源極厚度以及對(duì)源極進(jìn)行臭氧處理等,分析了這些因素對(duì)以Alq3為發(fā)

2、光層的VOLET器件性能的重要影響。具體來(lái)說(shuō),主要包括以下幾個(gè)方面: 首先,我們制作并表征了單層Alq3薄膜為發(fā)光層的VOLET器件ITO/Alq3(60nm)/Al(25nm)/LiF(90nm)/Al。發(fā)現(xiàn)柵壓控制作用很弱的原因是器件中空穴注入數(shù)量遠(yuǎn)少于電子,源漏電極兩端載流子注入不平衡。通過(guò)在ITO與Alq3之間加入空穴傳輸材料Pentacene薄膜制備的VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq3(60

3、nm)/Al(22nm)/LiF(120nm)/Al的發(fā)光效率最高,原因是此器件中載流子的注入相對(duì)較平衡。 其次,我們研究了LiF介電層厚度對(duì)器件性能的影響。發(fā)現(xiàn)150nm厚的LiF介電層的器件具有最佳工作性能,器件表現(xiàn)為n型增強(qiáng)型,結(jié)果表明適當(dāng)厚度的介電層可以兼顧器件的低漏電流與電容單元的高電容性。另外,我們發(fā)現(xiàn)在用有機(jī)半導(dǎo)體材料C60為介電層及電子傳輸層制作的VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq3(6

4、0nm)/C60(30nm)/Al(25nm)/C60(20nm)/Al中,由于具有較高HOMO能級(jí)的C60薄膜同時(shí)起到了電子傳輸層及空穴阻擋層的作用,從柵極注入的電子對(duì)源漏電流及發(fā)光亮度都有貢獻(xiàn)。 最后,通過(guò)改變中間電極厚度及對(duì)其表面進(jìn)行臭氧處理,我們研究了中間電極對(duì)VOLET性能的影響。中間電極厚度為15nm(其平均粗糙度約為9nm)的器件的“開(kāi)/關(guān)”電流比和“開(kāi)/關(guān)”亮度比分別達(dá)到35與46。對(duì)該器件的中間電極作10min

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