高密度脈沖電流處理對(duì)Fe-3％Si鋼微觀形貌及織構(gòu)的影響.pdf

1、本論文以實(shí)驗(yàn)為基礎(chǔ),選擇壓下量為85％的冷軋F(tuán)e-3％Si鋼板作為實(shí)驗(yàn)材料,分別實(shí)施不同工藝條件的脈沖電流處理。對(duì)處理后的樣品分別進(jìn)行金相觀察、TEM觀察、ODF和EBSD分析,以及顯微硬度的測(cè)試,通過(guò)與原始冷軋樣品的顯微組織、織構(gòu)和硬度結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,研究了脈沖電流誘導(dǎo)再結(jié)晶過(guò)程中冷軋F(tuán)e-3％Si鋼的微觀形貌和織構(gòu)的演變規(guī)律。
　　 將冷軋3％Si-Fe鋼分別進(jìn)行電流方向(CD)與軋向(RD)垂直和平行系列脈沖電流處理,脈沖電

2、壓強(qiáng)度分別為3.0,3.3,3.6,4.0,4.4,4.6,4.8,5.1kV。
　　 比較脈沖電流處理后樣品的微觀形貌,可以發(fā)現(xiàn),對(duì)于相同電壓強(qiáng)度條件下當(dāng)電流方向與軋制方向平行時(shí),脈沖電壓強(qiáng)度在4.0kV時(shí),晶界處出現(xiàn)少量細(xì)小彌散分布的再結(jié)晶晶粒,晶粒分布主要聚集在晶界附近；當(dāng)電流方向與軋制方向垂直時(shí),脈沖電壓強(qiáng)度在4.0kV時(shí),晶粒內(nèi)部沿剪切帶方向出現(xiàn)大量細(xì)小彌散分布的再結(jié)晶晶粒,晶粒分布主要聚集在晶粒內(nèi)部以及晶界附近。實(shí)驗(yàn)

3、結(jié)果表明,脈沖電壓達(dá)到4.0kV時(shí),樣品開(kāi)始出現(xiàn)再結(jié)晶現(xiàn)象,并且CD上RD時(shí)處理?xiàng)l件下樣品再結(jié)晶形核率高于CD//RD時(shí)。隨脈沖電壓強(qiáng)度的進(jìn)一步增大,樣品中再結(jié)晶晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大,分布趨于均勻。
　　 通過(guò)ODF宏觀織構(gòu)結(jié)果分析發(fā)現(xiàn),當(dāng)電流方向與軋制方向不變時(shí),脈沖電壓為達(dá)到4.0kV以前,樣品處于回復(fù)階段,與原始冷軋樣品相比,織構(gòu)類(lèi)型主要為{001)<110>,{112}<110>組分代表的α取向織構(gòu)；隨脈沖電流強(qiáng)度的增大,α取向