High Temperature Properties of SiC n-MOSFET and a New Processing of Gate Dielectrics.pdf_第1頁(yè)
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1、SiC材料由于禁帶寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大和熱導(dǎo)率較大等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻、大功率器件的理想半導(dǎo)體材料。本文主要研究SiCMOSFET的遷移率及高溫電流電壓特性。在器件物理的基礎(chǔ)上，考慮了體晶格散射、聲子散射、界面態(tài)電荷散射、表面粗糙度散射和高場(chǎng)散射等機(jī)制，建立了適合高溫的SiC遷移率模型，并分析了不同溫度下各個(gè)散射機(jī)制對(duì)遷移率的影響。模擬結(jié)果表明，室溫下界面態(tài)密度是影響遷移率的主要因素,而表面粗糙度和表面聲子散

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