一種硅CMOS低噪聲放大器的研究與設(shè)計.pdf

1、無線通信技術(shù)經(jīng)過短短幾十年的發(fā)展，已經(jīng)遍布人類社會的各個方面，應(yīng)用極其廣泛。隨著科技的進(jìn)一步發(fā)展，社會節(jié)奏的進(jìn)一步加快，使得人們對無線通信技術(shù)的要求越來越高，對射頻和通信集成電路的要求也隨之增高。世界各國都在進(jìn)一步加大對無線通信技術(shù)的研究工作。 無線通信技術(shù)中射頻接收電路是整個系統(tǒng)中極其重要的部分。位于射頻接收電路第一級的低噪聲放大器是射頻接收模塊的關(guān)鍵電路之一，其噪聲、增益、線性度對整個系統(tǒng)的性能影響極為顯著。因此，如何設(shè)計出

2、符合要求的低噪聲放大器現(xiàn)實(shí)意義重大。 過去低噪聲放大器多采用GaAs工藝制造，但由于GaAs工藝與硅CMOS工藝不兼容，使得電路的小型化、集成化無法得以實(shí)現(xiàn)。這一問題隨著CMOS工藝的快速發(fā)展得以改善，采用CMOS工藝可以實(shí)現(xiàn)射頻接收電路前端和數(shù)字后端的單片集成。隨著無線通信的迅猛發(fā)展，射頻電路向著：小型化、低功耗、低成本、高性能和高集成度的趨勢發(fā)展。不斷完善的CMOS技術(shù)可以很好的滿足這種發(fā)展勢態(tài)。目前，CMOS工藝的低噪聲放

3、大器成為射頻模擬電路的研究重點(diǎn)。 本文首先討論了CMOS器件的電特性，其次對低噪聲放大器的關(guān)鍵性能參數(shù)噪聲和線性度做了詳細(xì)的敘述。在分析了MOSFET二端口噪聲網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)上，對幾種常見的低噪聲放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)加以闡述。對應(yīng)用最為廣泛的電感源端負(fù)反饋結(jié)構(gòu)做了詳細(xì)分析，且在經(jīng)典Cascode結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上加入了級間匹配電感以改善電路性能。通過功率約束噪聲優(yōu)化技術(shù)，可以使LNA在特定的功耗下得到最優(yōu)的噪聲特性。 基于上海華虹NE