脈沖成核鎢工藝的研究與改善.pdf

1、隨著集成電路集成度的不斷提高，晶體管的速度要求越來越快。器件關(guān)鍵尺寸不斷縮小，導(dǎo)致互連延遲已大于集成電路器件開關(guān)的延遲成為影響整個器件速度的主要因素。為了降低互連延時，金屬互連經(jīng)歷了巨大變革。在0.13um以下的工藝中，銅大馬士革結(jié)構(gòu)鑲嵌工藝和低電介質(zhì)的廣泛應(yīng)用，大大降低了傳輸延時，同時也減少鎢栓的使用。但由于銅擴(kuò)散問題在連接器件時沒法解決，所以鎢接觸孔作為第一層金屬與器件的連接仍作為主流工藝被使用，而且其性能對整個布線系統(tǒng)顯得尤為重要

2、。
　　本文以脈沖成核氣相化學(xué)方式制作鎢為題展開研究，介紹了脈沖成核氣相化學(xué)方式鎢薄膜生產(chǎn)工藝過程，相關(guān)腔體原理，及薄膜分析評價方法，通過比較數(shù)據(jù)揭示了相關(guān)工藝參數(shù)對鎢薄膜成長的特性影響，進(jìn)而組織一系列的實驗，從成核步驟、bulk鎢生長、電學(xué)特性等方面論述低電阻率鎢的工藝特性。
　　實驗結(jié)果證明，改進(jìn)后的脈沖成核鎢工藝，能明顯降低鎢的電阻率，從原工藝生產(chǎn)鎢的電阻率14-15uΩ?cm下降到10uΩ?cm及以下，并在電性測試中