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文檔簡介
1、目前商品化的碳負(fù)極材料的理論比容量較低,限制了其應(yīng)用范圍。錫的理論比容量高達(dá)994 mAh/g,且具有嵌鋰電位適中、廉價易得等優(yōu)點(diǎn),成為研究較多的負(fù)極材料之一。然而,充放電時伴隨著不斷的脫嵌鋰過程,錫電極將產(chǎn)生巨大的體積變化,引起錫基體開裂、粉化甚至從集流體上剝落,表現(xiàn)了較差的循環(huán)性能。針對這個問題,本文采用具有三維結(jié)構(gòu)的泡沫銅做基底,為錫電極在充放電過程中體積膨脹提供足夠的空間,同時粗糙的基底表面可增強(qiáng)活性物質(zhì)與基底的結(jié)合力,提高電極
2、循環(huán)性能;采用真空蒸發(fā)及磁控濺射制備了Sn薄膜,考察了其電化學(xué)性能;利用磁控濺射制備了Sn-Al薄膜,研究了不同摻Al量對薄膜電化學(xué)性能的影響。
采用真空蒸發(fā)在泡沫銅基底上制備了Sn薄膜負(fù)極材料。通過XRD表征薄膜物相結(jié)構(gòu)、SEM分析了其微觀形貌,并測試了Sn薄膜的電化學(xué)性能。結(jié)果表明,三維結(jié)構(gòu)的泡沫銅的粗糙基底增強(qiáng)了活性物質(zhì)與基底的結(jié)合力,在相同基底溫度和功率下,隨著蒸發(fā)時間的增加,錫顆粒逐漸增大,其電化學(xué)性能降低;在相
3、同蒸發(fā)時間和功率下,升高基底溫度,顆粒無明顯變化,改善了樣品的循環(huán)壽命,當(dāng)蒸發(fā)功率200 W、基底溫度200℃及蒸發(fā)時間0.5 h時,樣品的性能最優(yōu),100次充放電循環(huán)后,其放電比容量仍達(dá)407.3 mAh/g。
采用磁控濺射在泡沫銅基底上制備不同粒徑大小的Sn薄膜材料,在相同基底溫度和功率下,濺射時間10 min時,Sn顆粒較小,樣品的循環(huán)性能最優(yōu)。首次充電比容量為955.4 mAh/g,100次后循環(huán),放電比容量為44
4、8.5 mAh/g,較真空蒸發(fā)制備的樣品性能有所提高。制備了一系列不同比例組成的Sn-Al薄膜,通過XRD及TEM表征薄膜物相結(jié)構(gòu),SEM分析其微觀形貌,EDS測試分析Sn和Al的含量。當(dāng)摻Al量為17.0 wt%時,Sn-Al薄膜樣品的電化學(xué)性能最優(yōu),100次循環(huán)后,仍有較高的放電比容量581.9 mAh/g;考察了不同電流密度下該樣品的性能,在1000 mA/g的電流密度下,100個充放電循環(huán),放電比容量為425.8mAh/g,表現(xiàn)
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