超臨界CO-,2-制備金屬氧化物納米粉體應用研究.pdf

1、山東大學碩士學位論文超臨界CO制備金屬氧化物納米粉體應用研究姓名：宋運濤申請學位級別：碩士專業(yè)：環(huán)境科學指導教師：崔兆杰20050428山東大學碩士學位論文摘要氧化鋅、氧化錫納米材料均為典型的n型半導體材料，表現(xiàn)出比體相時更優(yōu)異的光學和電學性能，在催化、氣敏元件、太陽能電池、光電器件等領域有著廣泛的應用納米金屬氧化物半導體材料的研究同所有其它納米材料一樣，開始時主要集中在制備方法的研究上，包括各式各樣的納米制備技術的研究與完善、不同前驅

2、物種類的試驗研究、相應方法下制備工藝條件及其參數(shù)的研究等化學制備法在納米粒子的規(guī)模生產方面具有一定的優(yōu)勢研究發(fā)現(xiàn)，在濕化學合成納米粉體的整個工藝過程中，存在粒徑調節(jié)、制備過程存在著污染、粒子團聚等一系列等尚待解決的問題從化學反應成核、晶粒生長到凝膠的洗滌、干燥以及粉體的焙燒，每一個階段均可能產生團聚。超臨界c傷所表現(xiàn)出的擴散性能高、粘滯性低、溶解能力可調、臨界溫度低、易于實現(xiàn)產物與介質分離、環(huán)境友好等性能，使其在超細粉體制備方面頗受關注

3、，進行了大量研究迄今為止，所制備的超細粉體主要集中在藥物、炸藥、聚合物等方面，產物粒徑在微米級以超臨界C02為介質制各金屬氧化物納米粉體的方法鮮有報道本文采用超臨界C02抗溶劑沉積和超臨界C02干燥分別制備了ZnO和Sn02納米粉體，取得了較好的實驗結果，為迸一步拓展超臨界C02在納米粉體制備方面的應用和深入研究奠定了基礎一、以Zn(CH3COO)2H20為原料，在4012，150barT作條件下，用超臨界C02抗溶劑沉積技術成功制備出

4、平均粒徑約35nm的乙酸鋅干燥粉體，并對該產物進行了TEM、XRD、FT吸測試，分析了沉積過程對前驅物物相和化學組成的影響，其物相由結晶態(tài)轉變?yōu)闊o定形態(tài)，紅外振動頻率由于尺寸效應發(fā)生偏移，并生成了微量碳酸鹽在實驗基礎上，分析了工作溫度，工作壓力、升壓速度、超臨界C02噴入方向等因素對產物粒徑及其分布的影響，認為升壓速度和C02噴入方向是影響沉積過程的重要因素對沉積產物在150、300、45012條件下分別進行了焙燒，得到純度高、尺寸分布