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文檔簡介
1、錯誤記憶是近年來記憶研究領(lǐng)域的一個新焦點(diǎn)。縱觀國內(nèi)外的研究發(fā)現(xiàn),其中用于實(shí)驗(yàn)室研究的DRM范式是研究者們探討最多、也最為深入的研究范式。該范式主要用來考察實(shí)驗(yàn)室條件下,被試通過學(xué)習(xí)具有語義關(guān)聯(lián)性的詞表,而引發(fā)了在測驗(yàn)階段對未學(xué)習(xí)過的關(guān)鍵誘餌的錯誤記憶。在DRM范式的研究中,研究者們大多考察錯誤記憶的影響因素,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步對錯誤記憶的產(chǎn)生機(jī)制和理論解釋進(jìn)行探討。 本論文通過三個實(shí)驗(yàn)層層深入地考察了語義關(guān)聯(lián)系和測驗(yàn)情境這兩大因
2、素對引發(fā)錯誤記憶的影響作用,為激活擴(kuò)散和激活/監(jiān)控等理論提供了有力的支持,最終的落腳點(diǎn)是以期更為全面的揭示測驗(yàn)情境這一因素對錯誤記憶的影響。 縱觀全文,在第一部分首先介紹了錯誤記憶的研究背景,追溯了錯誤記憶的早期研究,之后按照基于事件和基于單詞對研究范式進(jìn)行了劃分,簡單介紹了誤導(dǎo)信息干擾范式、想象膨脹范式、KK范式、無意識知覺范式和DRM范式。接下來,就近年來DRM范式中錯誤記憶的影響因素進(jìn)行了總結(jié),概括了基于引發(fā)錯誤記憶的影響
3、因素和減少錯誤記憶的影響因素。然后,進(jìn)一步闡述了基于誘發(fā)錯誤記憶提出的理論:內(nèi)隱激活反應(yīng)假設(shè)、自動擴(kuò)散激活理論、模糊痕跡理論和流暢性加工理論;基于減少錯誤記憶的理論支持:來源監(jiān)控理論和激活/監(jiān)控理論。最后提出問題,為接下來的實(shí)驗(yàn)研究做好鋪墊。 第二部分是本文的核心,在以往研究基礎(chǔ)上,通過三個系列實(shí)驗(yàn)來系統(tǒng)的考察學(xué)習(xí)項(xiàng)目的關(guān)聯(lián)性和測驗(yàn)階情境對錯誤記憶的影響作用。但與以往研究有所不同的是:在學(xué)習(xí)階段,我們對經(jīng)典的DRM范式進(jìn)行了改良
4、,在考察項(xiàng)目關(guān)聯(lián)性的同時,控制了學(xué)習(xí)詞表的容量;此外,為了考察測驗(yàn)情境,我們進(jìn)一步在測驗(yàn)階段設(shè)置了三種不同的測驗(yàn)情境:在作為基線水平的第一種情境中,關(guān)鍵誘餌位于每個詞表中的第一個位置呈現(xiàn);第二種情境是在關(guān)鍵誘餌之前先呈現(xiàn)一個關(guān)聯(lián)詞;在第三種情境中,關(guān)鍵誘餌前面有兩個關(guān)聯(lián)詞。在實(shí)驗(yàn)一中,通過操縱測驗(yàn)階段關(guān)鍵誘餌與最高關(guān)聯(lián)詞的不同位置,考察了最高關(guān)聯(lián)詞對關(guān)鍵誘餌發(fā)生錯誤記憶的啟動作用,進(jìn)而揭示了由最高關(guān)聯(lián)詞所誘發(fā)的測驗(yàn)情境效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)二,進(jìn)一
5、步通過控制測驗(yàn)階段關(guān)鍵誘餌與最低關(guān)聯(lián)詞的不同位置,考察最低關(guān)聯(lián)詞對引發(fā)關(guān)鍵誘餌錯誤記憶的影響,證實(shí)了最低關(guān)聯(lián)詞造成的測驗(yàn)情境效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)三的目的是追加探討,當(dāng)將測驗(yàn)階段的所有項(xiàng)目都隨機(jī)呈現(xiàn),也就是說當(dāng)排除測驗(yàn)情境這一影響因素,關(guān)鍵誘餌的錯誤記憶發(fā)生情況,從而對測驗(yàn)情景效應(yīng)進(jìn)行了更為全面的探討和論證。 第三部分是針對三個系列實(shí)驗(yàn)進(jìn)行總討論。第四部分對實(shí)驗(yàn)得到的結(jié)論進(jìn)行小結(jié):證實(shí)了學(xué)習(xí)項(xiàng)目的語義關(guān)聯(lián)強(qiáng)度和測驗(yàn)情境是引發(fā)錯誤記憶的重要影
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