PECVD-SiNx鈍化減反射特性研究.pdf

1、作為一種器件表面介質(zhì)膜，SiNx薄膜已被廣泛應(yīng)用于IC以及太陽(yáng)能光伏器件的制造中。在高效太陽(yáng)能電池研究中，發(fā)射結(jié)表面鈍化和減反射一直是其研究的主題。電池正面發(fā)射結(jié)不僅要求表面鈍化層有優(yōu)良的鈍化性能，同時(shí)也要求介質(zhì)層能夠與表面層減反射膜一起產(chǎn)生很好的減反射效果，從而進(jìn)一步提高太陽(yáng)電池器件的光生電流、開(kāi)路電壓以及電池效率. 本文闡述了高效太陽(yáng)電池研究中正面發(fā)射結(jié)上的鈍化與減反射工藝與原理，重點(diǎn)對(duì)PECVD法制備SiNx的鈍化機(jī)制，表

2、面場(chǎng)鈍化和H鈍化進(jìn)行了詳細(xì)的分析。人們研究SiNx的鈍化性能一般是在N+/P/P+結(jié)構(gòu)上對(duì)SiNx減反射和鈍化性能。為了比較清楚的了解SiNx鈍化工藝在太陽(yáng)電池鈍化中所起的作用，針對(duì)影響SiNx薄膜性能的主要參數(shù)(NH3/SiH4,襯底溫度，電源輸入功率)。在P型雙面擴(kuò)磷的N+/p/N+對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)上，對(duì)SiNx薄膜的鈍化和減反射性能進(jìn)行了理論模擬和實(shí)驗(yàn)研究。 通過(guò)研究沉積參數(shù)NH3/SiH4流量比對(duì)SiNx薄膜光學(xué)和電學(xué)鈍化性能的