氮化硅薄膜的螺旋波PECVD及其光學特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本工作采用螺旋波等離子體化學氣相沉積(HWP-CVD)方法制備了氫化非晶氮化硅(a-SiN_x：H)薄膜，系統(tǒng)地研究了不同反應氣體配比對薄膜特性的影響，得到了沉積不同組分a-SiN_x：H的典型實驗條件。利用橢偏儀，傅立葉紅外吸收譜(FTIR)，X射線光電子能譜(XPS)等技術(shù)對a-SiN_x：H的結(jié)構(gòu)特性進行了表征與分析，結(jié)果表明，采用HWP-CVD技術(shù)合理控制實驗條件，可得到鑲嵌在SiN_x中的納米Si結(jié)構(gòu)薄膜。在此基礎(chǔ)上，通過紫外

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